Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1887)
Surface Mount (3510)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (22)

Акция

IRF7822TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 18А 2.5Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

6.5 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

60нКл

Входная емкость:

5500пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

920 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 48,48₽

Акция

IRL1004PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 130А 200Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220 Isolated Tab

Напряжение исток-сток макс.:

40В

Ток стока макс.:

130A

Сопротивление открытого канала:

6.5 мОм

Мощность макс.:

200Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

100нКл

Входная емкость:

5330пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

90 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 112,86₽

IRF3205ZSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 110A 170Вт 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

75A

Сопротивление открытого канала:

6.5 мОм

Мощность макс.:

170Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

110нКл

Входная емкость:

3450пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

2 000 шт

Цена от:

от 199,32₽

AUIRF3205ZS Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 75 А

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

75A

Сопротивление открытого канала:

6.5 мОм

Мощность макс.:

170Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

110нКл

Входная емкость:

3450пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

BTS282ZE3180AATMA2 Транзистор полевой N-канальный 49В 80A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO263-7

Напряжение исток-сток макс.:

49В

Ток стока макс.:

80A

Сопротивление открытого канала:

6.5 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Temperature Protection

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

232нКл

Входная емкость:

4800пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

BTS282ZE3230AKSA2 Полевой транзистор, N-канальный, 49 В, 80 А

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

PG-TO220-7

Напряжение исток-сток макс.:

49В

Ток стока макс.:

80A

Сопротивление открытого канала:

6.5 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Temperature Protection

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

232нКл

Входная емкость:

4800пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IPB065N15N3GATMA1 Транзистор полевой N-канальный 150В 130A Aвтомобильного применения 7-Pin(6+Tab) D2PAK лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Напряжение исток-сток макс.:

150В

Ток стока макс.:

130A

Сопротивление открытого канала:

6.5 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

±20В

Заряд затвора:

93нКл

Входная емкость:

7300пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF3205ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75А 170Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

75A

Сопротивление открытого канала:

6.5 мОм

Мощность макс.:

170Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

110нКл

Входная емкость:

3450пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRF7456PBF Транзистор полевой N-канальный 20В 16A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

16A

Сопротивление открытого канала:

6.5 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

62нКл

Входная емкость:

3640пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF7456TRPBF Транзистор полевой N-канальный 20В 16A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

16A

Сопротивление открытого канала:

6.5 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

62нКл

Входная емкость:

3640пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF7822PBF Транзистор полевой N-канальный 30В 18А 2.5Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

6.5 мОм

Мощность макс.:

3.1Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

60нКл

Входная емкость:

5500пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

920 шт

Цена от:

от 48,48₽

Акция

IRFR3709ZPBF Транзистор полевой N-канальный 30В 86А 79Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

30В

Ток стока макс.:

86A

Сопротивление открытого канала:

6.5 мОм

Мощность макс.:

79Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.25В

Заряд затвора:

26нКл

Входная емкость:

2330пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFR3711TRPBF Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 100 А

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

100A

Сопротивление открытого канала:

6.5 мОм

Мощность макс.:

2.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

44нКл

Входная емкость:

2980пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB80NF55-06T4 Транзистор полевой N-канальный 55В 80A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

80A

Сопротивление открытого канала:

6.5 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

189нКл

Входная емкость:

4400пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB80NF55L-06T4 Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 80 А

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

80A

Сопротивление открытого канала:

6.5 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

136нКл

Входная емкость:

4850пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD80N6F6 Транзистор полевой N-канальный 60В

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

80A

Сопротивление открытого канала:

6.5 мОм

Мощность макс.:

120Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

122нКл

Входная емкость:

7480пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD95N4F3 Транзистор полевой N-канальный 40В 80A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

40В

Ток стока макс.:

80A

Сопротивление открытого канала:

6.5 мОм

Мощность макс.:

110Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

54нКл

Входная емкость:

2200пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STH110N10F7-2 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 110 А

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

110A

Сопротивление открытого канала:

6.5 мОм

Мощность макс.:

150Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

72нКл

Входная емкость:

5117пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STL70N4LLF5 Транзистор полевой 40В 70A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TDSON-8 FL

Напряжение исток-сток макс.:

40В

Ток стока макс.:

70A

Сопротивление открытого канала:

6.5 мОм

Мощность макс.:

4Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

13нКл

Входная емкость:

1800пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STP80NF55-06 Транзистор полевой N-канальный 55В 80A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

55В

Ток стока макс.:

80A

Сопротивление открытого канала:

6.5 мОм

Мощность макс.:

300Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

189нКл

Входная емкость:

4400пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.67399 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"