Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (17)
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 82A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
75В
Ток стока макс.:
82A
Сопротивление открытого канала:
13 мОм
Мощность макс.:
230Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
160нКл
Входная емкость:
3820пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
88 шт

Внешние склады:
200 шт
Цена от:
от 113,40
IRF7470TRPBF IRF7470TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 10A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
13 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
44нКл
Входная емкость:
3430пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
4 299 шт

Внешние склады:
5 000 шт
Цена от:
от 55,98
IRFHS8242TRPBF IRFHS8242TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 9.9A 6-Pin PQFN EP лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PQFN6-(2x2)
Напряжение исток-сток макс.:
25В
Ток стока макс.:
9.9A
Сопротивление открытого канала:
13 мОм
Мощность макс.:
2.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.35В
Заряд затвора:
10.4нКл
Входная емкость:
653пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
619 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 31,68
Акция
IRF2807PBF IRF2807PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 82А 200Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
75В
Ток стока макс.:
82A
Сопротивление открытого канала:
13 мОм
Мощность макс.:
230Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
160нКл
Входная емкость:
3820пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
7 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 41,52
ATP302-TL-H ATP302-TL-H Полевой транзистор, P-канальный, 60 В, 70 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
ATPAK
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
70A
Сопротивление открытого канала:
13 мОм
Мощность макс.:
70Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Заряд затвора:
115нКл
Входная емкость:
5400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRF2807 AUIRF2807 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 75A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220 Isolated Tab
Напряжение исток-сток макс.:
75В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
13 мОм
Мощность макс.:
230Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
160нКл
Входная емкость:
3820пФ
Тип монтажа:
Through Hole
BTS244ZE3043AKSA2 BTS244ZE3043AKSA2 Транзистор полевой N-канальный 55В 35A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO220-5
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
13 мОм
Мощность макс.:
170Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Temperature Protection
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
130нКл
Входная емкость:
2660пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD18537NQ5AT CSD18537NQ5AT Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 50A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-VSON (5x6)
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
13 мОм
Мощность макс.:
75Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
1480пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
DMP2022LSS-13 DMP2022LSS-13 Транзистор полевой P-канальный 20В 10A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOIC8
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
13 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.1В
Заряд затвора:
56.9нКл
Входная емкость:
2444пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDS4141 FDS4141 Полевой транзистор, P-канальный, 40 В, 10.8 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
10.8A
Сопротивление открытого канала:
13 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
49нКл
Входная емкость:
2670пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDS4672A FDS4672A Транзистор полевой N-канальный 40В 11A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
13 мОм
Мощность макс.:
1.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
49нКл
Входная емкость:
4766пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDS4675 FDS4675 Полевой транзистор, P-канальный, 40 В, 11 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
13 мОм
Мощность макс.:
1.2Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
56нКл
Входная емкость:
4350пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDS6575 FDS6575 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 10 А
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOIC8
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
13 мОм
Мощность макс.:
1.2Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
74нКл
Входная емкость:
4951пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRF2807SPBF IRF2807SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 82А 200Вт, 0.013 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
75В
Ток стока макс.:
82A
Сопротивление открытого канала:
13 мОм
Мощность макс.:
230Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
160нКл
Входная емкость:
3820пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
288 шт
Цена от:
от 113,40
IRF7470PBF IRF7470PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 10А 2.5Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
10A
Сопротивление открытого канала:
13 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
44нКл
Входная емкость:
3430пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
9 299 шт
Цена от:
от 55,98
IXTP96P085T IXTP96P085T Транзистор полевой P-канальный 85В 96А 298Вт
Производитель:
Littelfuse
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
85В
Ток стока макс.:
96A
Сопротивление открытого канала:
13 мОм
Мощность макс.:
298Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
180нКл
Входная емкость:
13100пФ
Тип монтажа:
Through Hole
NDP7060 NDP7060 Транзистор полевой N-канальный 60В 75A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
13 мОм
Мощность макс.:
150Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
115нКл
Входная емкость:
3600пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.66633 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"