Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип транзистора

N/P-канал(6)
2P-канал(1)
N-Channel(3)
P-Channel(1)
2N-канал(2)
P-канал(875)
MOSFET N-Channel, Metal Oxide(3)
N-канал(4267)

Тип монтажа

Chassis Mount(1)
Through Hole(1494)
Surface Mount(2856)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (23)

IRFL024NTRPBF Транзистор полевой N-канальный 55В 2.8А 2.1Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 2.8A Сопротивление открытого канала: 75 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 18.3нКл Входная емкость: 400пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

12 589 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 50,78₽

IRFP250NPBF Транзистор полевой N-канальный 200В 30А 190Вт, 0.085 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 75 мОм Мощность макс.: 214Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 123нКл Входная емкость: 2159пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

9 563 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 72,52₽

IRFR024NTRPBF Транзистор полевой N-канальный 55В 17А 38Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 75 мОм Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 370пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

8 334 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

1 964 шт

Цена от:

от 22,40₽

IRFU024NPBF Транзистор полевой N-канальный 55В 17А 45Вт, 0.075 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-251AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 75 мОм Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 370пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

2 518 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 109,16₽

ATP301-TL-H Полевой транзистор, P-канальный, 100 В, 28 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: ATPAK Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 28A Сопротивление открытого канала: 75 мОм Мощность макс.: 70Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Заряд затвора: 73нКл Входная емкость: 4000пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRFR024N Транзистор полевой N-канальный 55В 17A Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 75 мОм Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 370пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC654P Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 3.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3.6A Сопротивление открытого канала: 75 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 9нКл Входная емкость: 298пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD850N10L Транзистор полевой N-канальный 100В 15А 50Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 15.7A Сопротивление открытого канала: 75 мОм Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 28.9нКл Входная емкость: 1465пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQB34N20LTM Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 31 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 31A Сопротивление открытого канала: 75 мОм Мощность макс.: 3.13Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 72нКл Входная емкость: 3900пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FQP34N20 Транзистор полевой N-канальный 200В 31A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 31A Сопротивление открытого канала: 75 мОм Мощность макс.: 180Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 78нКл Входная емкость: 3100пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IPW60R075CPFKSA1 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 39 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO-247-3 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 39A Сопротивление открытого канала: 75 мОм Мощность макс.: 313Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 116нКл Входная емкость: 4000пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFL024NPBF Транзистор полевой N-канальный 55В 2.8А 2.1Вт, 0.075 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 2.8A Сопротивление открытого канала: 75 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 18.3нКл Входная емкость: 400пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

12 589 шт

Цена от:

от 50,78₽

IRFP250MPBF Транзистор полевой N-канальный 200В 30A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 75 мОм Мощность макс.: 214Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 123нКл Входная емкость: 2159пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFP264PBF Транзистор полевой N-канальный 250В 38А 280Вт, 0.075 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 38A Сопротивление открытого канала: 75 мОм Мощность макс.: 280Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 210нКл Входная емкость: 5400пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRFR024NPBF Транзистор полевой N-канальный 55В 17А 38Вт, 0.075 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 75 мОм Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 370пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

8 334 шт

Цена от:

от 22,40₽

IRFR024NTRLPBF Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 17 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 75 мОм Мощность макс.: 45Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 370пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

MMSF3P02HDR2G Транзистор полевой P-канальный 20В 5.6A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 5.6A Сопротивление открытого канала: 75 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 46нКл Входная емкость: 1400пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTGS3433T1G Транзистор полевой P-канальный 12В 2.35A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 2.35A Сопротивление открытого канала: 75 мОм Мощность макс.: 500мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 550пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTR4171PT1G Транзистор полевой P-канальный 30В 2.2A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 2.2A Сопротивление открытого канала: 75 мОм Мощность макс.: 480мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.4В Заряд затвора: 15.6нКл Входная емкость: 720пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SPD30P06PG Полевой транзистор P-канальный 60В 30A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: P-TO252-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 75 мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 48нКл Входная емкость: 1535пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"