Одиночные MOSFET транзисторы

₁₅

Сопротивление открытого канала: 33 мОм

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1872)
Surface Mount (3376)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (15)

-8% Акция

IRFB4332PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 390Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO220AB

Напряжение сток-исток макс.:

250В

Ток стока макс.:

60A

Сопротивление открытого канала:

33 мОм

Мощность макс.:

390Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

150нКл

Входная емкость:

5860пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

732 шт

Внешние склады:

10 354 шт

Цена от:

от 91,98₽

IRFP4332PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 360Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-247AC

Напряжение сток-исток макс.:

250В

Ток стока макс.:

57A

Сопротивление открытого канала:

33 мОм

Мощность макс.:

360Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

150нКл

Входная емкость:

5860пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

1 581 шт

Внешние склады:

20 950 шт

Цена от:

от 127,98₽

NTGS3136PT1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.7A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

6-TSOP

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

3.7A

Сопротивление открытого канала:

33 мОм

Мощность макс.:

700мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 1.8V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

29нКл

Входная емкость:

1901пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

3 000 шт

Цена от:

от 200,28₽

STB40NF10LT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 40A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

40A

Сопротивление открытого канала:

33 мОм

Мощность макс.:

150Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

64нКл

Входная емкость:

2300пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

1 000 шт

Цена от:

от 94,56₽

STP40NF10L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 0.028 Ом, 40А 150Вт

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

40A

Сопротивление открытого канала:

33 мОм

Мощность макс.:

150Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

64нКл

Входная емкость:

2300пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Наличие:

15 шт

Внешние склады:

70 шт

Цена от:

от 96,90₽

BUK9237-55A,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 32A

Производитель:

NEXPERIA

Корпус:

DPAK

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

32A

Сопротивление открытого канала:

33 мОм

Мощность макс.:

77Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive, Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

17.6нКл

Входная емкость:

1236пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC604P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 5.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SSOT6

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

5.5A

Сопротивление открытого канала:

33 мОм

Мощность макс.:

800мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate, 1.8V Drive

Пороговое напряжение включения макс.:

1.5В

Заряд затвора:

30нКл

Входная емкость:

1926пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDP3672 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 105В 41A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

105В

Ток стока макс.:

5.9A

Сопротивление открытого канала:

33 мОм

Мощность макс.:

135Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

37нКл

Входная емкость:

1670пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

NTMS5P02R2G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.95A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOIC8N

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

3.95A

Сопротивление открытого канала:

33 мОм

Мощность макс.:

790мВт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.25В

Заряд затвора:

35нКл

Входная емкость:

1900пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7454DDP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 21A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SO-8

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

21A

Сопротивление открытого канала:

33 мОм

Мощность макс.:

29.7Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

19.5нКл

Входная емкость:

550пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI8406DB-T2-E1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 16A

Производитель:

Vishay

Корпус:

6-Micro Foot[тм]

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

16A

Сопротивление открытого канала:

33 мОм

Мощность макс.:

13Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

850mВ

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

830пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIA461DJ-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 12A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® SC-70-6 Single

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

33 мОм

Мощность макс.:

17.9Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

45нКл

Входная емкость:

1300пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIS892ADN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 28A

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® 1212-8

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

28A

Сопротивление открытого канала:

33 мОм

Мощность макс.:

52Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

19.5нКл

Входная емкость:

550пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SUP57N20-33-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 57A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

200В

Ток стока макс.:

57A

Сопротивление открытого канала:

33 мОм

Мощность макс.:

3.75Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

130нКл

Входная емкость:

5100пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

TSM2312CX RFG Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 4.9A 3-Pin SOT-23 лента на катушке

Производитель:

Taiwan Semiconductor Co., Ltd

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

4.9A

Сопротивление открытого канала:

33 мОм

Мощность макс.:

750мВт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

±8В

Заряд затвора:

11.2нКл

Входная емкость:

500пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.4644 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"