Одиночные MOSFET транзисторы

14
Сопротивление открытого канала: 19 мОм
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (14)
IRFTS8342TRPBF IRFTS8342TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 8.2А 2Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
6-TSOP
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
8.2A
Сопротивление открытого канала:
19 мОм
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.35В
Заряд затвора:
4.8нКл
Входная емкость:
560пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
3 771 шт

Внешние склады:
3 020 шт
Цена от:
от 17,22
IRLR3103TRPBF IRLR3103TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 55A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
55A
Сопротивление открытого канала:
19 мОм
Мощность макс.:
107Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
1600пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 121 шт

Внешние склады:
100 шт
Цена от:
от 71,28
SUM55P06-19L-E3 SUM55P06-19L-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 55A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
55A
Сопротивление открытого канала:
19 мОм
Мощность макс.:
3.75Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
115нКл
Входная емкость:
3500пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
133 шт
Цена от:
от 133,38
SUM90P10-19L-E3 SUM90P10-19L-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 90A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
90A
Сопротивление открытого канала:
19 мОм
Мощность макс.:
375Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
326нКл
Входная емкость:
11100пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 899 шт
Цена от:
от 244,20
BUK6217-55C,118 BUK6217-55C,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 44A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
44A
Сопротивление открытого канала:
19 мОм
Мощность макс.:
80Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В
Заряд затвора:
33.8нКл
Входная емкость:
1950пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK7219-55A,118 BUK7219-55A,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 55A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
55A
Сопротивление открытого канала:
19 мОм
Мощность макс.:
114Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Пороговое напряжение включения макс.:
Входная емкость:
2108пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD24AN06LA0_F085 FDD24AN06LA0_F085 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 40A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-252
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
7.1A
Сопротивление открытого канала:
19 мОм
Мощность макс.:
75Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
21нКл
Входная емкость:
1850пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMC8884 FDMC8884 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 9A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
MLP (3.3x3.3)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
19 мОм
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
685пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
HUF75332P3 HUF75332P3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 60A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
60A
Сопротивление открытого канала:
19 мОм
Мощность макс.:
145Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
85нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRLR3103PBF IRLR3103PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 55А 69Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
55A
Сопротивление открытого канала:
19 мОм
Мощность макс.:
107Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
1600пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 221 шт
Цена от:
от 71,28
PMK35EP,518 PMK35EP,518 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 14.9A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
SOT96-1 (SO8)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
14.9A
Сопротивление открытого канала:
19 мОм
Мощность макс.:
6.9Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
42нКл
Входная емкость:
2100пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
4 439 шт
Цена от:
от 21,30
SIR836DP-T1-GE3 SIR836DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 21A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
21A
Сопротивление открытого канала:
19 мОм
Мощность макс.:
15.6Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
600пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STL40N75LF3 STL40N75LF3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 40A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
PowerFLAT 5x6
Напряжение сток-исток макс.:
75В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
19 мОм
Мощность макс.:
62Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
1300пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SUM85N15-19-E3 SUM85N15-19-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 85A
Производитель:
Vishay
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
85A
Сопротивление открытого канала:
19 мОм
Мощность макс.:
3.75Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
4750пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.45496 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"