Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип транзистора

MOSFET N-Channel, Metal Oxide(3)
N-канал(4267)
N/P-канал(6)
2P-канал(1)
N-Channel(3)
P-Channel(1)
2N-канал(2)
P-канал(875)

Тип монтажа

Surface Mount(2856)
Chassis Mount(1)
Through Hole(1494)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (26)

IRF7201TRPBF Транзистор полевой N-канальный 30В 7.3А 2.5Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 7.3A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 28нКл Входная емкость: 550пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

10 176 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 53,87₽

Акция

IRLMS2002TRPBF Транзистор полевой N-канальный 20В 6.5А 2Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TSOP-6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 6.5A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 1310пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

9 794 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 53,12₽

Акция

STR2N2VH5 Транзистор полевой N-канальный 20В 2.3А, 0.35Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 20В Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 700mВ Заряд затвора: 4.6нКл Входная емкость: 367пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

1 384 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 8,62₽

AOD454A Транзистор полевой N-канальный 40В 12А 18Вт Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: TO-252 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 10.8нКл Входная емкость: 650пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD17313Q2-Q1 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 5 А Производитель: Texas Instruments Корпус: SON6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.8В Заряд затвора: 2.7нКл Входная емкость: 340пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD17313Q2Q1 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 5 А Производитель: Texas Instruments Корпус: SON6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.8В Заряд затвора: 2.7нКл Входная емкость: 340пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMN3033LSN-7 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 6 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 1.4Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В Заряд затвора: 10.5нКл Входная емкость: 755пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDC608PZ Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 5.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 5.8A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 23нКл Входная емкость: 1330пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMA420NZ Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 5.7 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 5.7A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 2.4Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 935пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMA510PZ Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 7.8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 7.8A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 900мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 27нКл Входная емкость: 1480пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMA520PZ Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 7.3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: MicroFET6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 7.3A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 900мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 1645пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

HUF76423P3 Транзистор полевой N-канальный 60В 35A Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 35A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 85Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 1060пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRF7201PBF Транзистор полевой N-канальный 30В 7А 2Вт, 0.03 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 7.3A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1В Заряд затвора: 28нКл Входная емкость: 550пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

10 176 шт

Цена от:

от 53,87₽

NDT456P Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 7.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 7.5A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 67нКл Входная емкость: 1440пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTHS5404T1G Транзистор полевой N-канальный 20В 5.2A Производитель: ON Semiconductor Корпус: ChipFET8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 5.2A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 600mВ Заряд затвора: 18нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

PSMN030-150B,118 Транзистор полевой N-канальный 150В 55.5A Производитель: NEXPERIA Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 55.5A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 250Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 98нКл Входная емкость: 3680пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2329DS-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 8В 6A Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 8В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 800mВ Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 1485пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI2374DS-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 20В 4.5A 3-Pin TO-236 лента на катушке Производитель: Vishay Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 960мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±8В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 735пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI4431BDY-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 30В 5.7A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 5.7A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 1.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 20нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI5403DC-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 30В 6A Производитель: Vishay Корпус: ChipFET8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 6.3Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 42нКл Входная емкость: 1340пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"