Одиночные MOSFET транзисторы

26
Сопротивление открытого канала: 30 мОм
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (26)
AOD454A AOD454A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 12А 18Вт
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
TO-252
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
20A
Сопротивление открытого канала:
30 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
10.8нКл
Входная емкость:
650пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
634 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 20,88
-6% Акция
HUF76423P3 HUF76423P3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 35A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
30 мОм
Мощность макс.:
85Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
1060пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
376 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 33,30
IRF7201TRPBF IRF7201TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 7.3А 2.5Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
7.3A
Сопротивление открытого канала:
30 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
28нКл
Входная емкость:
550пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 692 шт

Внешние склады:
520 шт
Цена от:
от 86,38
IRLMS2002TRPBF IRLMS2002TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 6.5А 2Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TSOP-6
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
6.5A
Сопротивление открытого канала:
30 мОм
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.2В
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
1310пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
6 764 шт

Внешние склады:
600 шт
Цена от:
от 30,99
-6% Акция
SI2374DS-T1-GE3 SI2374DS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 4.5A 3-Pin TO-236 лента на катушке
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
4.5A
Сопротивление открытого канала:
30 мОм
Мощность макс.:
960мВт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
±8В
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
735пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
2 323 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 13,81
-6% Акция
STR2N2VH5 STR2N2VH5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 2.3А, 0.35Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
2.3А
Сопротивление открытого канала:
30 мОм
Мощность макс.:
350мВт
Тип транзистора:
N-канальный
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
700mВ
Заряд затвора:
4.6нКл
Входная емкость:
367пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 335 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 5,71
Акция
SQ2310ES-T1-GE3 SQ2310ES-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 6A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-236
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
30 мОм
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
8.5нКл
Входная емкость:
485пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
5 885 шт
Цена от:
от 32,56
CSD17313Q2-Q1 CSD17313Q2-Q1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 5A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
SON6
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
30 мОм
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.8В
Заряд затвора:
2.7нКл
Входная емкость:
340пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD17313Q2Q1 CSD17313Q2Q1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 5A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
SON6
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
30 мОм
Мощность макс.:
2.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.8В
Заряд затвора:
2.7нКл
Входная емкость:
340пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
DMN3033LSN-7 DMN3033LSN-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 6A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SC-59-3
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
30 мОм
Мощность макс.:
1.4Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В
Заряд затвора:
10.5нКл
Входная емкость:
755пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDC608PZ FDC608PZ Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 5.8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SSOT6
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
5.8A
Сопротивление открытого канала:
30 мОм
Мощность макс.:
800мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
23нКл
Входная емкость:
1330пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMA420NZ FDMA420NZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 5.7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
MicroFET6
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
5.7A
Сопротивление открытого канала:
30 мОм
Мощность макс.:
2.4Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
935пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMA510PZ FDMA510PZ Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 7.8A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
MicroFET 2x2
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
7.8A
Сопротивление открытого канала:
30 мОм
Мощность макс.:
900мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
27нКл
Входная емкость:
1480пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMA520PZ FDMA520PZ Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 7.3A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
MicroFET 2x2
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
7.3A
Сопротивление открытого канала:
30 мОм
Мощность макс.:
900мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
1645пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRF7201PBF IRF7201PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 7А 2Вт, 0.03 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
7.3A
Сопротивление открытого канала:
30 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
28нКл
Входная емкость:
550пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
3 212 шт
Цена от:
от 86,38
NDT456P NDT456P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 7.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
SOT-223-3
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
7.5A
Сопротивление открытого канала:
30 мОм
Мощность макс.:
1.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
67нКл
Входная емкость:
1440пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTHS5404T1G NTHS5404T1G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 5.2A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
ChipFET[тм]
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
5.2A
Сопротивление открытого канала:
30 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
600mВ
Заряд затвора:
18нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
PSMN030-150B,118 PSMN030-150B,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 55.5A
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
55.5A
Сопротивление открытого канала:
30 мОм
Мощность макс.:
250Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
98нКл
Входная емкость:
3680пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI2329DS-T1-GE3 SI2329DS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 8В 6A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-23-3 (TO-236)
Напряжение сток-исток макс.:
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
30 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
800mВ
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
1485пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI4431BDY-T1-E3 SI4431BDY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 5.7A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
5.7A
Сопротивление открытого канала:
30 мОм
Мощность макс.:
1.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
20нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.59762 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"