Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип транзистора

N/P-канал(6)
2P-канал(1)
N-Channel(3)
P-Channel(1)
2N-канал(2)
P-канал(875)
MOSFET N-Channel, Metal Oxide(3)
N-канал(4267)

Тип монтажа

Chassis Mount(1)
Through Hole(1494)
Surface Mount(2856)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (18)

Акция

TPC8032H Транзистор полевой N-канальный 30В 15А 1.9Вт Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 15A Мощность макс.: 1.9Вт Тип транзистора: N-канал

Наличие:

24 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 26,06₽

AOL1482 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 4.5A 8ULTRASO Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: UltraSO-8[тм] Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 4.5A(Ta),28A(Tc) Сопротивление открытого канала: 37 мОм @ 10А, 10В Мощность макс.: 1.9Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.7В @ 250 µA Заряд затвора: 44нКл @ 10В Входная емкость: 2000пФ @ 50В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC8032L Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 7A 8-Pin MLP EP лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 7A Сопротивление открытого канала: 20 мОм @ 7А, 10В Мощность макс.: 1.9Вт

Сообщить о поступлении

PMV40UN,215 Транзистор полевой N-канальный 30В 4.9A Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 (TO-236AB) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 4.9A Сопротивление открытого канала: 47 мОм Мощность макс.: 1.9Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 700mВ Заряд затвора: 9.3нКл Входная емкость: 445пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7431DP-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 200В 2.2A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 2.2A Сопротивление открытого канала: 174 мОм Мощность макс.: 1.9Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 135нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7434DP-T1-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 2.3 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 2.3A Сопротивление открытого канала: 155 мОм Мощность макс.: 1.9Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 50нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7439DP-T1-E3 Полевой транзистор, P-канальный, 150 В, 3 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 90 мОм Мощность макс.: 1.9Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 135нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7439DP-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 150 В, 3 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 90 мОм Мощность макс.: 1.9Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 135нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7450DP-T1-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 3.2 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 3.2A Сопротивление открытого канала: 80 мОм Мощность макс.: 1.9Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 42нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7460DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 11 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 9.6 мОм Мощность макс.: 1.9Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 100нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7461DP-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 60В 8.6A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 8.6A Сопротивление открытого канала: 14.5 мОм Мощность макс.: 1.9Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 190нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7461DP-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 60В 8.6A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 8.6A Сопротивление открытого канала: 14.5 мОм Мощность макс.: 1.9Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 190нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7478DP-T1-E3 Транзистор полевой N-канальный 60В 15A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 7.5 мОм Мощность макс.: 1.9Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 160нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7478DP-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 60В 15A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 15A Сопротивление открытого канала: 7.5 мОм Мощность макс.: 1.9Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 160нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7852DP-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 80В 7.6A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 7.6A Сопротивление открытого канала: 16.5 мОм Мощность макс.: 1.9Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 41нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7898DP-T1-E3 Транзистор полевой N-канальный 150В 3A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 85 мОм Мощность макс.: 1.9Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 21нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7898DP-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 150В 3A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 85 мОм Мощность макс.: 1.9Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 21нКл Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

TPC8037H Транзистор полевой N-канальный 30В 12А 1.9Вт (рекомендуемая замена: TP89R103NL, TPC8065-H, TPC8064-H) Производитель: Toshiba Semiconductor Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 12A Мощность макс.: 1.9Вт Тип транзистора: N-канал

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"