Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (18)
AON6558 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 30A 8DFN Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: 8-DFN-EP (5x6) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 25A(Ta),28A(Tc) Сопротивление открытого канала: 5.1 мОм @ 20А, 10В Мощность макс.: 5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В @ 250 µA Заряд затвора: 25нКл @ 10В Входная емкость: 1128пФ @ 15В Тип монтажа: Surface Mount
PHK04P02T,518 Полевой транзистор, P-канальный, 16 В, 4.66 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 16В Ток стока макс.: 4.66A Сопротивление открытого канала: 120 мОм Мощность макс.: 5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 600mВ Заряд затвора: 7.2нКл Входная емкость: 528пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI4116DY-T1-E3 Транзистор полевой N-канальный 25В 18A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 8.6 мОм Мощность макс.: 5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1.4В Заряд затвора: 56нКл Входная емкость: 1925пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI4116DY-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 25В 18A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 18A Сопротивление открытого канала: 8.6 мОм Мощность макс.: 5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1.4В Заряд затвора: 56нКл Входная емкость: 1925пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI4128DY-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 10.9 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 10.9A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 435пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI4134DY-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 30В 14A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 23нКл Входная емкость: 846пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI4162DY-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 30В 19.3A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 19.3A Сопротивление открытого канала: 7.9 мОм Мощность макс.: 5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 30нКл Входная емкость: 1155пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI4174DY-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 30В 17A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 9.5 мОм Мощность макс.: 5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В Заряд затвора: 27нКл Входная емкость: 985пФ Тип монтажа: Surface Mount
Акция SI4178DY-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 30В 12A Производитель: Vishay Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 21 мОм Мощность макс.: 5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Заряд затвора: 12нКл Входная емкость: 405пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI4403CDY-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 13.4 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 13.4A Сопротивление открытого канала: 15.5 мОм Мощность макс.: 5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 90нКл Входная емкость: 2380пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI4435DDY-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 30В 11.4A Производитель: Vishay Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 11.4A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 1350пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI4435DDY-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 30В 11.4А 5Вт Производитель: Vishay Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 11.4A Сопротивление открытого канала: 24 мОм Мощность макс.: 5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 1350пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI4436DY-T1-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 8 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 36 мОм Мощность макс.: 5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 32нКл Входная емкость: 1100пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI4485DY-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 30В 6A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 42 мОм Мощность макс.: 5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 21нКл Входная емкость: 590пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI4825DDY-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 14.9 А Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 14.9A Сопротивление открытого канала: 12.5 мОм Мощность макс.: 5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 86нКл Входная емкость: 2550пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI9407BDY-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 60В 4.7A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 4.7A Сопротивление открытого канала: 120 мОм Мощность макс.: 5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 600пФ Тип монтажа: Surface Mount
SI9407BDY-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 60В 4.7A Производитель: Vishay Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 4.7A Сопротивление открытого канала: 120 мОм Мощность макс.: 5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 600пФ Тип монтажа: Surface Mount
SQ3469EV-T1_GE3 Полевой транзистор P-канальный 20В 8A автомобильного применения 6-Pin TSOP лента на катушке Производитель: Vishay Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 36 мОм Мощность макс.: 5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Заряд затвора: 27нКл Входная емкость: 1020пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"