Одиночные MOSFET транзисторы

9
Мощность макс.: 5.7Вт
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (9)
Акция
SI4425DDY-T1-GE3 SI4425DDY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 19.7А 5.7Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
19.7A
Сопротивление открытого канала:
9.8 мОм
Мощность макс.:
5.7Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
80нКл
Входная емкость:
2610пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
54 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 68,41
SI4056DY-T1-GE3 SI4056DY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 11.1А 2.5Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
11.1A
Сопротивление открытого канала:
23 мОм
Мощность макс.:
5.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.8В
Заряд затвора:
29.5нКл
Входная емкость:
900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 700 шт
Цена от:
от 42,86
SI4114DY-T1-GE3 SI4114DY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 20A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
20A
Сопротивление открытого канала:
6 мОм
Мощность макс.:
5.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В
Заряд затвора:
95нКл
Входная емкость:
3700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 126,80
SI4124DY-T1-GE3 SI4124DY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 20.5A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
20.5A
Сопротивление открытого канала:
7.5 мОм
Мощность макс.:
5.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
77нКл
Входная емкость:
3540пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 270 шт
Цена от:
от 87,55
SI4160DY-T1-GE3 SI4160DY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 25.4A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
25.4A
Сопротивление открытого канала:
4.9 мОм
Мощность макс.:
5.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В
Заряд затвора:
54нКл
Входная емкость:
2071пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
5 000 шт
Цена от:
от 21,92
SI4838BDY-T1-GE3 SI4838BDY-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 12В 34A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
12В
Ток стока макс.:
34A
Сопротивление открытого канала:
2.7 мОм
Мощность макс.:
5.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
84нКл
Входная емкость:
5760пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Цена от:
от 105,78
SI5457DC-T1-GE3 SI5457DC-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 6A
Производитель:
Vishay
Корпус:
ChipFET8
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
36 мОм
Мощность макс.:
5.7Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.4В
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
1000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
6 000 шт
Цена от:
от 25,68
SI5468DC-T1-GE3 SI5468DC-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 6A
Производитель:
Vishay
Корпус:
ChipFET8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
28 мОм
Мощность макс.:
5.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
12нКл
Входная емкость:
435пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
6 000 шт
Цена от:
от 26,03
SI4124DY-T1-E3 SI4124DY-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 20.5A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
20.5A
Сопротивление открытого канала:
7.5 мОм
Мощность макс.:
5.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
77нКл
Входная емкость:
3540пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
2 270 шт
Цена от:
от 87,55
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.43524 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"