Одиночные MOSFET транзисторы

30
Мощность макс.: 2.8Вт
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (30)
IRF6727MTRPBF IRF6727MTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 32A 7-Pin Direct-FET MX лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DIRECTFET[тм] MX
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
32A
Сопротивление открытого канала:
1.7 мОм
Мощность макс.:
2.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.35В
Заряд затвора:
74нКл
Входная емкость:
6190пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
7 667 шт

Внешние склады:
2 200 шт
Цена от:
от 122,30
IRFHM9331TRPBF IRFHM9331TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный -30В -11A 2.8Вт защитный диод PQFN33
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PQFN (3x3)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
10 мОм
Мощность макс.:
2.8Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В
Заряд затвора:
48нКл
Входная емкость:
1543пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
4 048 шт

Внешние склады:
50 шт
Цена от:
от 36,66
Акция
IRFL4315TRPBF IRFL4315TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 2.6A автомобильного применения 4-Pin(3+Tab) SOT-223 лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
2.6A
Сопротивление открытого канала:
185 мОм
Мощность макс.:
2.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
19нКл
Входная емкость:
420пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 231 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 26,81
-6% Акция
SI1416EDH-T1-GE3 SI1416EDH-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 3.9A 6-Pin SC-70 лента на катушке
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOT-363
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
3.9A
Сопротивление открытого канала:
58 мОм
Мощность макс.:
2.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.4В
Заряд затвора:
12нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
3 101 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 19,69
IRF6643TRPBF IRF6643TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 6.2A 7-Pin Direct-FET MZ лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DIRECTFET[тм] MZ
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
6.2A
Сопротивление открытого канала:
34.5 мОм
Мощность макс.:
2.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.9В
Заряд затвора:
55нКл
Входная емкость:
2340пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
200 шт
Цена от:
от 170,81
IRF6775MTRPBF IRF6775MTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 4.9A 7-Pin Direct-FET MZ лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DIRECTFET[тм] MZ
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
4.9A
Сопротивление открытого канала:
56 мОм
Мощность макс.:
2.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
36нКл
Входная емкость:
1411пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
50 шт
Цена от:
от 356,00
IRFH3702TRPBF IRFH3702TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 16A 8-Pin PQFN EP лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
8-PQFN (3x3)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
16A
Сопротивление открытого канала:
7.1 мОм
Мощность макс.:
2.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.35В
Заряд затвора:
14нКл
Входная емкость:
1510пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
200 шт
Цена от:
от 71,51
IRFH3707TRPBF IRFH3707TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 12A PQFN56
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
8-PQFN (3x3)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
12A(Ta),29A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
12.4 мОм @ 12А, 10В
Мощность макс.:
2.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.35В @ 25 µA
Заряд затвора:
8.1нКл @ 4.5В
Входная емкость:
755пФ @ 15В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
700 шт
Цена от:
от 65,02
AON2406 AON2406 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 8A 6-Pin DFN-B EP лента на катушке
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
6-DFN-EP (2x2)
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
12.5 мОм
Мощность макс.:
2.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 1.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
1140пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
AON6816 AON6816 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 16A 8-Pin DFN EP
Производитель:
Alpha & Omega Semiconductor
Корпус:
8-DFN (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
6.2 мОм @ 16А, 10В
Мощность макс.:
2.8Вт
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD17309Q3 CSD17309Q3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 60A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
SON-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
20A
Сопротивление открытого канала:
5.4 мОм
Мощность макс.:
2.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.7В
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
1440пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD17577Q3AT CSD17577Q3AT Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 35A 8-Pin VSONP EP лента на катушке
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-VSONP (3x3.15)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
35A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
4.8 мОм @ 16А, 10В
Мощность макс.:
2.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.8В @ 250 µA
Заряд затвора:
35нКл @ 10В
Входная емкость:
2310пФ @ 15В
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD25402Q3A CSD25402Q3A Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 72A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
VSONP-8 (3.3 mm x 3.3)
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
72A
Сопротивление открытого канала:
8.9 мОм
Мощность макс.:
2.8Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.15В
Заряд затвора:
9.7нКл
Входная емкость:
1790пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 23A DIRECTFET
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DIRECTFET[тм] MT
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
23A(Ta),150A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
3.4 мОм @ 23А, 10В
Мощность макс.:
2.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.25В @ 250 µA
Заряд затвора:
63нКл @ 4.5В
Входная емкость:
5950пФ @ 15В
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF6641TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 4.6А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DIRECTFET[тм] MZ
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
4.6A(Ta),26A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
59.9 мОм @ 5.5А, 10В
Мощность макс.:
2.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4.9В @ 150 µA
Заряд затвора:
48нКл @ 10В
Входная емкость:
2290пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF6644TRPBF IRF6644TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 10.3A DIRECTFET
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DIRECTFET[тм] MN
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
10.3A(Ta),60A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
13 мОм @ 10.3А, 10В
Мощность макс.:
2.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4.8В @ 150 µA
Заряд затвора:
47нКл @ 10В
Входная емкость:
2210пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF6646TRPBF IRF6646TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 12A 7-Pin Direct-FET MN лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DIRECTFET[тм] MN
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
12A(Ta),68A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
9.5 мОм @ 12А, 10В
Мощность макс.:
2.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4.9В @ 150 µA
Заряд затвора:
50нКл @ 10В
Входная емкость:
2060пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF6648TRPBF IRF6648TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 86A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DIRECTFET[тм] MN
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
86A
Сопротивление открытого канала:
7 мОм
Мощность макс.:
2.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.9В
Заряд затвора:
50нКл
Входная емкость:
2120пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF6662TRPBF IRF6662TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 8.3A DIRECTFET
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DIRECTFET[тм] MZ
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
8.3A(Ta),47A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
22 мОм @ 8.2А, 10В
Мощность макс.:
2.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4.9В @ 100 µA
Заряд затвора:
31нКл @ 10В
Входная емкость:
1360пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF6714MTRPBF IRF6714MTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 29A DIRECTFET
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DIRECTFET[тм] MX
Напряжение сток-исток макс.:
25В
Ток стока макс.:
29A(Ta),166A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
2.1 мОм @ 29А, 10В
Мощность макс.:
2.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В @ 100 µA
Заряд затвора:
44нКл @ 4.5В
Входная емкость:
3890пФ @ 13В
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.59762 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"