Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (36)
IRF1405ZPBF IRF1405ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
4.9 мОм
Мощность макс.:
230Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
180нКл
Входная емкость:
4780пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
163 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 95,40
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 82A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
75В
Ток стока макс.:
82A
Сопротивление открытого канала:
13 мОм
Мощность макс.:
230Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
160нКл
Входная емкость:
3820пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
88 шт

Внешние склады:
200 шт
Цена от:
от 113,40
IRFB3306PBF IRFB3306PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO220AB
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
4.2 мОм
Мощность макс.:
230Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
120нКл
Входная емкость:
4520пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
392 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 54,60
IRFB3307ZPBF IRFB3307ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
75В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
5.8 мОм
Мощность макс.:
230Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
4750пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
246 шт

Внешние склады:
846 шт
Цена от:
от 70,92
IRFB4410ZPBF IRFB4410ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 97А 230Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
97A
Сопротивление открытого канала:
9 мОм
Мощность макс.:
230Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
120нКл
Входная емкость:
4820пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
1 325 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 39,78
IRFB7437PBF IRFB7437PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 195А 230Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
195A
Сопротивление открытого канала:
2 мОм
Мощность макс.:
230Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
225нКл
Входная емкость:
7330пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
789 шт

Внешние склады:
600 шт
Цена от:
от 61,62
IRFB7537PBF IRFB7537PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 173A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
173A
Сопротивление открытого канала:
3.3 мОм
Мощность макс.:
230Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.7В
Заряд затвора:
210нКл
Входная емкость:
7020пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
620 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 59,64
Акция
IRFP7537PBF IRFP7537PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 172A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-247
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
172A
Сопротивление открытого канала:
3.3 мОм
Мощность макс.:
230Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.7В
Заряд затвора:
210нКл
Входная емкость:
7020пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
296 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 147,12
Акция
IRFS3306TRLPBF IRFS3306TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 160A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
120A
Сопротивление открытого канала:
4.2 мОм
Мощность макс.:
230Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
120нКл
Входная емкость:
4520пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
124 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 157,86
IRFS4410ZTRLPBF IRFS4410ZTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 97A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
97A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
9 мОм @ 58А, 10В
Мощность макс.:
230Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 150 µA
Заряд затвора:
120нКл @ 10В
Входная емкость:
4820пФ @ 50В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
1 115 шт

Внешние склады:
200 шт
Цена от:
от 93,12
Акция
IRL1404ZPBF IRL1404ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 75А 230Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
3.1 мОм
Мощность макс.:
230Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.7В
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
5080пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
253 шт

Внешние склады:
195 шт
Цена от:
от 171,48
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 260А 230Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
260A
Сопротивление открытого канала:
1.95 мОм
Мощность макс.:
230Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.35В
Заряд затвора:
86нКл
Входная емкость:
8420пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
235 шт

Внешние склады:
60 шт
Цена от:
от 93,30
Акция
IRF2807PBF IRF2807PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 82А 200Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
75В
Ток стока макс.:
82A
Сопротивление открытого канала:
13 мОм
Мощность макс.:
230Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
160нКл
Входная емкость:
3820пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
7 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 41,52
STW12NK90Z STW12NK90Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 11А 230Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение исток-сток макс.:
900В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
880 мОм
Мощность макс.:
230Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
152нКл
Входная емкость:
3500пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
39 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 167,52
AUIRF2807 AUIRF2807 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 75A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220 Isolated Tab
Напряжение исток-сток макс.:
75В
Ток стока макс.:
75A
Сопротивление открытого канала:
13 мОм
Мощность макс.:
230Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
160нКл
Входная емкость:
3820пФ
Тип монтажа:
Through Hole
AUIRFB8407 AUIRFB8407 Транзистор полевой N-канальный 40В 195A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
195A
Сопротивление открытого канала:
2 мОм
Мощность макс.:
230Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
225нКл
Входная емкость:
7330пФ
Тип монтажа:
Through Hole
AUIRFS4410ZTRL AUIRFS4410ZTRL Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 97A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DВІPAK
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
97A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
9 мОм @ 58А, 10В
Мощность макс.:
230Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 150 µA
Заряд затвора:
120нКл @ 10В
Входная емкость:
4820пФ @ 50В
Тип монтажа:
Surface Mount
AUIRFS8407TRL AUIRFS8407TRL Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 195 А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
195A
Сопротивление открытого канала:
1.8 мОм
Мощность макс.:
230Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
225нКл
Входная емкость:
7330пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BUK9615-100A,118 BUK9615-100A,118 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 75A D2PAK
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
75A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
14.4 мОм @ 25А, 10В
Мощность макс.:
230Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2В @ 1mA
Входная емкость:
8600пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRF2807SPBF IRF2807SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 82А 200Вт, 0.013 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.:
75В
Ток стока макс.:
82A
Сопротивление открытого канала:
13 мОм
Мощность макс.:
230Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
160нКл
Входная емкость:
3820пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
288 шт
Цена от:
от 113,40
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.66633 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"