Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (40)
IRF1310NPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 42A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 42A Сопротивление открытого канала: 36 мОм Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 1900пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
302 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 94,47
IRF3710ZPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 59А 160Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 59A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 120нКл Входная емкость: 2900пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
158 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 162,70
IRF3710ZSTRLPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 59A Aвтомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2Pak (TO-263) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 59A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 120нКл Входная емкость: 2900пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
217 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 168,21
IRFB7540PBF Транзистор полевой N-канальный 60В 110A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 110A Сопротивление открытого канала: 5.1 мОм Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 4555пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
124 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 58,91
IRFP150NPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 39А 140Вт, 0.036 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 42A Сопротивление открытого канала: 36 мОм Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 1900пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
6 шт

Под заказ:
100 шт
Цена от:
от 111,14
SPW16N50C3FKSA1 Транзистор полевой N-канальный 560В 16A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 560В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 280 мОм Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 1600пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
14 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 428,46
STP10NK80Z Транзистор полевой N-канальный 800В 9А 160Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 900 мОм Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 72нКл Входная емкость: 2180пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
528 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 315,91
STP12NM50 Транзистор полевой N-канальный 500В 12А 35Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 350 мОм Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 39нКл Входная емкость: 1000пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
0 шт

Под заказ:
32 шт
Цена от:
от 435,59
Акция STP4N150 Транзистор полевой N-канальный 1500В 4А 160Вт, 5 Ом Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 1500В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 7 Ом Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
35 шт

Под заказ:
8 шт
Цена от:
от 501,46
STP8NK100Z Транзистор полевой N-канальный 1000В 6.5А 160Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 1000В Ток стока макс.: 6.5A Сопротивление открытого канала: 1.85 Ом Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 102нКл Входная емкость: 2180пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
165 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 465,18
STP9NK90Z Транзистор полевой N-канальный 900В 8А 160Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 1.3 Ом Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 72нКл Входная емкость: 2115пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
101 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 315,67
STW15NK50Z Транзистор полевой N-канальный 500В 14А 160Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 340 мОм Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 106нКл Входная емкость: 2260пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
126 шт

Под заказ:
80 шт
Цена от:
от 213,89
STW4N150 Транзистор полевой N-канальный 1500В 4А 160Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 1500В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 7 Ом Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 1300пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
42 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 344,26
STW9NK90Z Транзистор полевой N-канальный 900В 8А 160Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 1.3 Ом Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 72нКл Входная емкость: 2115пФ Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
612 шт

Под заказ:
90 шт
Цена от:
от 119,67
2SK2372 Полевой транзистор, N-канальный, 500В 25А 160Вт Производитель: Nippon Electric Comp. Ltd. Корпус: TO-3P Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 25A Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал
AUIRF3710Z Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 59 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 59A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 120нКл Входная емкость: 2900пФ Тип монтажа: Through Hole
AUIRF3710ZS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 59A D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: DВІPAK Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 59A(Tc) Сопротивление открытого канала: 18 мОм @ 35А, 10В Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 120нКл @ 10В Входная емкость: 2900пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
AUIRFZ48N Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 69A TO-220AB Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 69A(Tc) Сопротивление открытого канала: 14 мОм @ 40А, 10В Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 100 µA Заряд затвора: 63нКл @ 10В Входная емкость: 1900пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
FDD8870 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 160 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 3.9 мОм Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 118нКл Входная емкость: 5160пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDP8870 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 156 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 4.1 мОм Мощность макс.: 160Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 132нКл Входная емкость: 5200пФ Тип монтажа: Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"