Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип транзистора

P-Channel(1)
2N-канал(2)
P-канал(875)
MOSFET N-Channel, Metal Oxide(3)
N-канал(4267)
N/P-канал(6)
2P-канал(1)
N-Channel(3)

Тип монтажа

Through Hole(1494)
Surface Mount(2856)
Chassis Mount(1)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (19)

IRFH5007TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 17A 5X6 PQFN Производитель: Infineon Technologies Корпус: PQFN 5x6 mm Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 17A(Ta),100A(Tc) Сопротивление открытого канала: 5.9 мОм @ 50А, 10В Мощность макс.: 3.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 150 µA Заряд затвора: 98нКл @ 10В Входная емкость: 4290пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

1 845 шт

Под заказ:

1 900 шт

Цена от:

от 188,94₽

IRFH5300TRPBF Транзистор полевой N-канальный 30В 40A 8-Pin PQFN EP лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: PQFN 5x6 mm Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 40A Сопротивление открытого канала: 1.4 мОм Мощность макс.: 3.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 120нКл Входная емкость: 7200пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

6 968 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 61,38₽

IRFH5020TRPBF Транзистор полевой N-канальный 200В 5.1A Производитель: Infineon Technologies Корпус: PQFN 5x6 mm Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 5.1A Сопротивление открытого канала: 55 мОм Мощность макс.: 3.6Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 54нКл Входная емкость: 2290пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

1 375 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 103,60₽

IRFH5025TRPBF Транзистор полевой N-канальный 250В 3.8A Производитель: Infineon Technologies Корпус: PQFN 5x6 mm Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 3.8A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 3.6Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 56нКл Входная емкость: 2150пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

976 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 129,71₽

IRFH5406TRPBF Транзистор полевой N-канальный 60В 40A Производитель: Infineon Technologies Корпус: PQFN 5x6 mm Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 14.4 мОм Мощность макс.: 3.6Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 1256пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

559 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 167,42₽

IRF6716MTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 39A DIRECTFET Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] MX Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 39A(Ta),180A(Tc) Сопротивление открытого канала: 1.6 мОм @ 40А, 10В Мощность макс.: 3.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В @ 100 µA Заряд затвора: 59нКл @ 4.5В Входная емкость: 5150пФ @ 13В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFH5006TRPBF Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 100 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 4.1 мОм Мощность макс.: 3.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 100нКл Входная емкость: 4175пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFH5010TRPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 13A Производитель: Infineon Technologies Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 3.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 98нКл Входная емкость: 4340пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFH5015TRPBF Транзистор полевой N-канальный 150В 31мОм 54нКл PQFN 5x6мм Производитель: Infineon Technologies Корпус: PQFN 5x6 mm Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 31 мОм Мощность макс.: 3.6Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 50нКл Входная емкость: 2300пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFH5110TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 11A 8-PQFN Производитель: Infineon Technologies Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 11A(Ta),63A(Tc) Сопротивление открытого канала: 12.4 мОм @ 37А, 10В Мощность макс.: 3.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 100 µA Заряд затвора: 72нКл @ 10В Входная емкость: 3152пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFH5215TRPBF Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 5 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 58 мОм Мощность макс.: 3.6Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 32нКл Входная емкость: 1350пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFH5302TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 32A 5X6 PQFN Производитель: Infineon Technologies Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 32A(Ta),100A(Tc) Сопротивление открытого канала: 2.1 мОм @ 50А, 10В Мощность макс.: 3.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В @ 100 µA Заряд затвора: 76нКл @ 10В Входная емкость: 4400пФ @ 15В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFH5304TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 22A 8VQFN Производитель: Infineon Technologies Корпус: PQFN (5x6) Single Die Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 22A(Ta),79A(Tc) Сопротивление открытого канала: 4.5 мОм @ 47А, 10В Мощность макс.: 3.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В @ 50 µA Заряд затвора: 41нКл @ 10В Входная емкость: 2360пФ @ 10В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFH8307TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 100A PQFN Производитель: Infineon Technologies Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 42A(Ta),100A(Tc) Сопротивление открытого канала: 1.3 мОм @ 50А, 10В Мощность макс.: 3.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В @ 150 µA Заряд затвора: 120нКл @ 10В Входная емкость: 7200пФ @ 15В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFH8318TRPBF Транзистор полевой N-канальный 30В 50A Производитель: Infineon Technologies Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 27A Сопротивление открытого канала: 3.1 мОм Мощность макс.: 3.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В Заряд затвора: 41нКл Входная емкость: 3180пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRLH5030TRPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 13A Производитель: Infineon Technologies Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 3.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 94нКл Входная емкость: 5185пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRLH6224TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 28A PQFN 5X6 Производитель: Infineon Technologies Корпус: 8-PQFN (5x6) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 28A(Ta),105A(Tc) Сопротивление открытого канала: 3 мОм @ 20А, 4.5В Мощность макс.: 3.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В @ 50 µA Заряд затвора: 86нКл @ 10В Входная емкость: 3710пФ @ 10В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NVMFS5826NLWFT1G Полевой транзистор N-канальный 60В 8A автомобильного применения 5-Pin(4+Tab) SO-FL лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: TDSON-8 FL Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 8A(Ta) Сопротивление открытого канала: 24 мОм @ 10А, 10В Мощность макс.: 3.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В @ 250 µA Заряд затвора: 17нКл @ 10В Входная емкость: 850пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI3424CDV-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 30В 8A Производитель: Vishay Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 26 мОм Мощность макс.: 3.6Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 12.5нКл Входная емкость: 405пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"