Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип транзистора

P-канал(875)
MOSFET N-Channel, Metal Oxide(3)
N-канал(4267)
N/P-канал(6)
2P-канал(1)
N-Channel(3)
P-Channel(1)
2N-канал(2)

Тип монтажа

Through Hole(1494)
Surface Mount(2856)
Chassis Mount(1)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (62)

IRFPE50PBF Транзистор полевой N-канальный 800В 7.8А 190Вт, 1.2 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 7.8A Сопротивление открытого канала: 1.2 Ом Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 200нКл Входная емкость: 3100пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFPF50PBF Транзистор полевой N-канальный 900В 6.7А 190Вт, 1.6 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 900В Ток стока макс.: 6.7A Сопротивление открытого канала: 1.6 Ом Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 200нКл Входная емкость: 2900пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFPG50PBF Транзистор полевой N-канальный 1000В 6.1А 190Вт, 2.0 Ом Производитель: Vishay Корпус: TO-247AC Напряжение исток-сток макс.: 1000В Ток стока макс.: 6.1A Сопротивление открытого канала: 2 Ом Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 190нКл Входная емкость: 2800пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFS4610PBF Транзистор полевой N-канальный 100В 73А Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 73A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 140нКл Входная емкость: 3550пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

1 186 шт

Цена от:

от 261,46₽

Акция

IRFSL11N50APBF Транзистор полевой N-канальный 500В 11A Производитель: Vishay Корпус: TO-262-3 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 550 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 51нКл Входная емкость: 1426пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRFZ48RPBF Транзистор полевой N-канальный 60В 50A Производитель: Vishay Корпус: TO-220AB Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 2400пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

STB12NK80ZT4 Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 10.5 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 10.5A(Tc) Сопротивление открытого канала: 750 мОм @ 5.25А, 10В Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В @ 100 µA Заряд затвора: 87нКл @ 10В Входная емкость: 2620пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB13N80K5 Транзистор полевой N-канальный 800В 12A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 450 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 870пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB15N80K5 Транзистор полевой N-канальный 800В 14A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 375 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 32нКл Входная емкость: 1100пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB18NM80 Транзистор полевой N-канальный 800В 17A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 295 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 70нКл Входная емкость: 2070пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

STB20NK50Z Транзистор полевой N-канальный 500В 17А 190Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 17A Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал

Сообщить о поступлении

STB32NM50N Транзистор полевой N-канальный 500В 22A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 22A Сопротивление открытого канала: 130 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 62.5нКл Входная емкость: 1973пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB33N60M2 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 26 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 26A Сопротивление открытого канала: 125 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 45.5нКл Входная емкость: 1781пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB34N65M5 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 28 А Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 28A Сопротивление открытого канала: 110 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 62.5нКл Входная емкость: 2700пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB34NM60ND Транзистор полевой N-канальный 600В 29A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 29A Сопротивление открытого канала: 110 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 80.4нКл Входная емкость: 2785пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB36NM60ND Транзистор полевой N-канальный 600В 29A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 29A Сопротивление открытого канала: 110 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 80.4нКл Входная емкость: 2785пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB38N65M5 Транзистор полевой N-канальный 650В 30A Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 95 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 71нКл Входная емкость: 3000пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB42N65M5 Транзистор полевой N-канальный 650В 33А 0.079 Ом, 190Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 33A Сопротивление открытого канала: 79 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 100нКл Входная емкость: 4650пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB75NF20 Транзистор полевой N-канальный 200В 75А 190Вт Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 75A Сопротивление открытого канала: 34 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 84нКл Входная емкость: 3260пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB80N20M5 Транзистор полевой N-канальный 200В 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: ST Microelectronics Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 61A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 190Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 104нКл Входная емкость: 4329пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"