Одиночные MOSFET транзисторы

₄₅

Мощность макс.: 2.3Вт

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (45)

-6% Акция

FDMC7660S Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

Power33

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

20A

Сопротивление открытого канала:

2.2 мОм

Мощность макс.:

2.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

66нКл

Входная емкость:

4325пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

77 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 54,97₽

-6% Акция

NVF2955T1G Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 2.6А 2.3Вт

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

2.6A

Сопротивление открытого канала:

170 мОм

Мощность макс.:

2.3Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Automotive

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

14.3нКл

Входная емкость:

492пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

451 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 50,53₽

SI2303CDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 2.7A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOT-23-3 (TO-236)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

2.7A

Сопротивление открытого канала:

190 мОм

Мощность макс.:

2.3Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

8нКл

Входная емкость:

155пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

26 шт

Внешние склады:

0 шт

Цена от:

от 17,94₽

AON6234 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 85A 8-Pin DFN EP лента на катушке

Производитель:

Alpha & Omega Semiconductor

Корпус:

8-DFN (5x6)

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

20A

Сопротивление открытого канала:

3.4 мОм

Мощность макс.:

2.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.4В

Заряд затвора:

41нКл

Входная емкость:

2805пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

AON6242 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 18.5A DFN5X6

Производитель:

Alpha & Omega Semiconductor

Корпус:

8-DFN (5x6)

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

18.5A(Ta),85A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

3.6 мОм @ 20А, 10В

Мощность макс.:

2.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В @ 250 µA

Заряд затвора:

72нКл @ 10В

Входная емкость:

6370пФ @ 30В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

AON6414A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13A 8-Pin DFN EP лента на катушке

Производитель:

Alpha & Omega Semiconductor

Корпус:

8-DFN (5x6)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

13A

Сопротивление открытого канала:

8 мОм

Мощность макс.:

2.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

24нКл

Входная емкость:

1380пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD16301Q2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В

Производитель:

Texas Instruments

Корпус:

6-SON

Напряжение сток-исток макс.:

25В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

24 мОм

Мощность макс.:

2.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.55В

Заряд затвора:

2.8нКл

Входная емкость:

340пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD17313Q2-Q1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 5A

Производитель:

Texas Instruments

Корпус:

SON6

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

30 мОм

Мощность макс.:

2.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.8В

Заряд затвора:

2.7нКл

Входная емкость:

340пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD17313Q2Q1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 5A

Производитель:

Texas Instruments

Корпус:

SON6

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

30 мОм

Мощность макс.:

2.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive, Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1.8В

Заряд затвора:

2.7нКл

Входная емкость:

340пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

CSD85301Q2 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 5A 6-Pin WSON EP лента на катушке

Производитель:

Texas Instruments

Корпус:

WSON-6 (2x2)

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

27 мОм @ 5А, 4.5В

Мощность макс.:

2.3Вт

Тип транзистора:

N-канальный

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC3612 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

8-MLP (3.3x3.3)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

3.3A

Сопротивление открытого канала:

110 мОм

Мощность макс.:

2.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

21нКл

Входная емкость:

880пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC4435BZ Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 8.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

MLP (3.3x3.3)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

8.5A

Сопротивление открытого канала:

20 мОм

Мощность макс.:

2.3Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

46нКл

Входная емкость:

2045пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC510P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 18A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

MLP (3.3x3.3)

Напряжение сток-исток макс.:

20В

Ток стока макс.:

12A

Сопротивление открытого канала:

8 мОм

Мощность макс.:

2.3Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

116нКл

Входная емкость:

7860пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC6675BZ Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 9.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

MLP (3.3x3.3)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

9.5A

Сопротивление открытого канала:

14.4 мОм

Мощность макс.:

2.3Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

65нКл

Входная емкость:

2865пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC6679AZ Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

Power33

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

11.5A

Сопротивление открытого канала:

10 мОм

Мощность макс.:

2.3Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

91нКл

Входная емкость:

3970пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC7570S Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 40A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

Power33

Напряжение сток-исток макс.:

25В

Ток стока макс.:

27A

Сопротивление открытого канала:

2 мОм

Мощность макс.:

2.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

68нКл

Входная емкость:

4410пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC7660 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 20A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

8-PQFN (3.3x3.3), Power33

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

20A

Сопротивление открытого канала:

2.2 мОм

Мощность макс.:

2.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

86нКл

Входная емкость:

4830пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC7664 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

8-MLP (3.3x3.3)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

18.8A

Сопротивление открытого канала:

4.2 мОм

Мощность макс.:

2.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

76нКл

Входная емкость:

4865пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC7672S Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

8-MLP (3.3x3.3)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

14.8A

Сопротивление открытого канала:

6 мОм

Мощность макс.:

2.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

42нКл

Входная емкость:

2520пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC7678 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 17.5A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

8-MLP (3.3x3.3), Power33

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

17.5A

Сопротивление открытого канала:

5.3 мОм

Мощность макс.:

2.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

39нКл

Входная емкость:

2410пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.59762 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"