Одиночные MOSFET транзисторы

24
Мощность макс.: 3.2Вт
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (24)
FDMS86101DC FDMS86101DC Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 14.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
8-PQFN (5x6), Power56
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
14.5A
Сопротивление открытого канала:
7.5 мОм
Мощность макс.:
3.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
44нКл
Входная емкость:
3135пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
6 000 шт
Цена от:
от 29,78
FDMS86300DC FDMS86300DC Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 24A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
24A
Сопротивление открытого канала:
3.1 мОм
Мощность макс.:
3.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
101нКл
Входная емкость:
7005пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 158,94
NTTFS5116PLTAG NTTFS5116PLTAG Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 5.7A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
WDFN8
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
5.7A
Сопротивление открытого канала:
52 мОм
Мощность макс.:
3.2Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
1258пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
6 000 шт
Цена от:
от 23,83
NVTFS5116PLTAG NVTFS5116PLTAG Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 14A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
WDFN8
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
52 мОм
Мощность макс.:
3.2Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
1258пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
5 000 шт
Цена от:
от 49,95
NVTFS5116PLWFTAG NVTFS5116PLWFTAG Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 6A автомобильного применения 8-Pin WDFN EP лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
WDFN8
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
6A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
52 мОм @ 7А, 10В
Мощность макс.:
3.2Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В @ 250 µA
Заряд затвора:
25нКл @ 10В
Входная емкость:
1258пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
4 500 шт
Цена от:
от 34,29
SI3437DV-T1-GE3 SI3437DV-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 150В 1.4A
Производитель:
Vishay
Корпус:
6-TSOP
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
1.4A
Сопротивление открытого канала:
750 мОм
Мощность макс.:
3.2Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
19нКл
Входная емкость:
510пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
6 000 шт
Цена от:
от 15,98
SI3443CDV-T1-E3 SI3443CDV-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 5.97A
Производитель:
Vishay
Корпус:
6-TSOP
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
5.97A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
3.2Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
12.4нКл
Входная емкость:
610пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
9 000 шт
Аналоги:
12 000 шт
Цена от:
от 13,20
SI3443CDV-T1-GE3 SI3443CDV-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 5.97А 2Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TSOP-6
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
5.97A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
3.2Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
12.4нКл
Входная емкость:
610пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
12 000 шт
Аналоги:
9 000 шт
Цена от:
от 8,71
CSD17306Q5A CSD17306Q5A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 100A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-SON (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
24A
Сопротивление открытого канала:
3.7 мОм
Мощность макс.:
3.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
1.6В
Заряд затвора:
15.3нКл
Входная емкость:
2170пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD17312Q5 CSD17312Q5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 100A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
SON-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
38A
Сопротивление открытого канала:
1.5 мОм
Мощность макс.:
3.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
36нКл
Входная емкость:
5240пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD17506Q5A CSD17506Q5A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 100A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-SON (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
4 мОм
Мощность макс.:
3.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.8В
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
1650пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD17559Q5 CSD17559Q5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 100A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-SON (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
40A
Сопротивление открытого канала:
1.15 мОм
Мощность макс.:
3.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.7В
Заряд затвора:
51нКл
Входная емкость:
9200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD17579Q3A CSD17579Q3A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 35A QFN
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-VSONP (3x3.15)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
20A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
10.2 мОм @ 8А, 10В
Мощность макс.:
3.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.9В @ 250 µA
Заряд затвора:
15нКл @ 10В
Входная емкость:
998пФ @ 15В
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD18533Q5A CSD18533Q5A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 17A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-SON (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
17A
Сопротивление открытого канала:
5.9 мОм
Мощность макс.:
3.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.3В
Заряд затвора:
36нКл
Входная емкость:
2750пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD18563Q5A CSD18563Q5A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 96A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-SON (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
15A
Сопротивление открытого канала:
6.8 мОм
Мощность макс.:
3.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
1500пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD18563Q5AT CSD18563Q5AT Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 100A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-VSON (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
6.8 мОм
Мощность макс.:
3.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В
Заряд затвора:
20нКл
Входная емкость:
1500пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD19533Q5A CSD19533Q5A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 100A
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-SON (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
100A
Сопротивление открытого канала:
11.1 мОм
Мощность макс.:
3.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3.4В
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
2670пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
CSD19534Q5A CSD19534Q5A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 137A 8SON
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-VSON-FET (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
50A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
15.1 мОм @ 10А, 10В
Мощность макс.:
3.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3.4В @ 250 µA
Заряд затвора:
22нКл @ 10В
Входная емкость:
1680пФ @ 50В
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
CSD19534Q5AT CSD19534Q5AT Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 137A 8SON
Производитель:
Texas Instruments
Корпус:
8-VSON-FET (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
50A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
15.1 мОм @ 10А, 10В
Мощность макс.:
3.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3.4В @ 250 µA
Заряд затвора:
22нКл @ 10В
Входная емкость:
1680пФ @ 50В
Тип монтажа:
Surface Mount
FDMS86200DC FDMS86200DC Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 9.3A POWER 56
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
Power56
Напряжение сток-исток макс.:
150В
Ток стока макс.:
9.3A(Ta),28A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
17 мОм @ 9.3А, 10В
Мощность макс.:
3.2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
42нКл @ 10В
Входная емкость:
2955пФ @ 75В
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.43056 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"