Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип транзистора

P-Channel(1)
2N-канал(2)
P-канал(875)
MOSFET N-Channel, Metal Oxide(3)
N-канал(4267)
N/P-канал(6)
2P-канал(1)
N-Channel(3)

Тип монтажа

Through Hole(1494)
Surface Mount(2856)
Chassis Mount(1)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (387)

AOD4189 Транзистор полевой P-канальный 40В 40А 31Вт Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 40A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 41нКл Входная емкость: 1870пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AOD454A Транзистор полевой N-канальный 40В 12А 18Вт Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: TO-252 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 30 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 10.8нКл Входная емкость: 650пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AOD482 Транзистор полевой N-канальный 100В 32А 50Вт Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: TO-252 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 37 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.7В Заряд затвора: 44нКл Входная емкость: 2000пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AON7934 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 16A/18A DFN-A EP Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: DFN8-(3x3) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 13A,15A Сопротивление открытого канала: 10.2 мОм @ 13А, 10В Мощность макс.: 2.5Вт

Сообщить о поступлении

AUIRF7647S2TR Полевой транзистор N-канальный 100В 5.9A автомобильного применения 7-Pin Direct-FET SC лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] SC Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 5.9A Сопротивление открытого канала: 31 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 21нКл Входная емкость: 910пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRF7736M2TR Полевой транзистор N-канальный 40В 22A автомобильного применения 9-Pin Direct-FET M4 лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] M4 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 22A Сопротивление открытого канала: 3 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 108нКл Входная емкость: 4267пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

AUIRL7736M2TR Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 112A DIRECTFET Производитель: Infineon Technologies Корпус: DIRECTFET[тм] M4 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 179A(Tc) Сопротивление открытого канала: 3 мОм @ 67А, 10В Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В @ 150 µA Заряд затвора: 78нКл @ 4.5В Входная емкость: 5055пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BSC014N04LS Транзистор полевой N-канальный 40В 32A 8-Pin TDSON EP лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: TDSON-8 FL Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 32A Сопротивление открытого канала: 1.4 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 61нКл Входная емкость: 4300пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BSC014N06NSATMA1 Полевой транзистор N-канальный 60В 30A 8-Pin TDSON EP лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: TDSON-8 FL Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 30A Сопротивление открытого канала: 1.45 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Заряд затвора: 89нКл Входная емкость: 6500пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BSC025N03LSGATMA1 Полевой транзистор N-канальный 30В 100A 8-Pin TDSON EP лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: TDSON-8 FL Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 25A Сопротивление открытого канала: 2.5 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Заряд затвора: 74нКл Входная емкость: 6100пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

BSZ042N06NS Полевой транзистор N-канальный 60В 40A серия OPTIMOS TSDSON8 Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TSDSON-8 (3.3x3.3) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 4.2 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В Заряд затвора: 27нКл Входная емкость: 2000пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

CPC5602CTR Транзистор полевой N-канальный 350В 5мА, 2.5Вт Производитель: Littelfuse Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 350В Ток стока макс.: 5мА Сопротивление открытого канала: 14 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Depletion Mode Входная емкость: 300пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

CPC5603CTR Полевой транзистор N-канальный 415В 0.005A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 лента на катушке Производитель: IXYS Corporation Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 415В Ток стока макс.: 5мА Сопротивление открытого канала: 14 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Depletion Mode Входная емкость: 300пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMG4413LSS-13 Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 10.5 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 10.5A Сопротивление открытого канала: 7.5 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В Заряд затвора: 46нКл Входная емкость: 4965пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMP2022LSS-13 Транзистор полевой P-канальный 20В 10A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 13 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 56.9нКл Входная емкость: 2444пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

DMP3020LSS-13 Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 12 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 14 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 30.7нКл Входная емкость: 1802пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMC8622 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power33 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 56 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 7.3нКл Входная емкость: 402пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS0309AS Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 21A PT8 Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 21A(Ta),49A(Tc) Сопротивление открытого канала: 3.5 мОм @ 21А, 10В Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В @ 1mA Заряд затвора: 47нКл @ 10В Входная емкость: 3000пФ @ 15В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS0312S Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 19 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 19A Сопротивление открытого канала: 4.9 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 46нКл Входная емкость: 2820пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDMS2572 Транзистор полевой N-канальный 150В 4.5A Производитель: ON Semiconductor Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 47 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 4В Заряд затвора: 43нКл Входная емкость: 2610пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"