Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (18)
BUK9Y19-55B,115 BUK9Y19-55B,115 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 46A LFPAK
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
LFPAK56
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
46A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
17.3 мОм @ 20А, 10В
Мощность макс.:
85Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2В @ 1mA
Заряд затвора:
18нКл @ 5В
Входная емкость:
1992пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
367 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 48,06
STP24NF10 STP24NF10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 0.055 Ом, 26A,
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
26A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
85Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
41нКл
Входная емкость:
870пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
268 шт

Внешние склады:
10 шт
Цена от:
от 203,10
2SK2847 2SK2847 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 8А 85Вт (рекомендуемая замена: TK9J90E)
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
TO-3PF
Напряжение исток-сток макс.:
900В
Ток стока макс.:
8A
Мощность макс.:
85Вт
Тип транзистора:
N-канал
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
5 шт
Цена от:
от 474,18
Акция
2SK2606 2SK2606 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 8.5А 85Вт (рекомендуемая замена: TK10J80E, TK10A80E)
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Корпус:
TO-3PF
Напряжение исток-сток макс.:
800В
Ток стока макс.:
8.5A
Мощность макс.:
85Вт
Тип транзистора:
N-канал
BUK7635-55A,118 BUK7635-55A,118 Транзистор полевой N-канальный 55В 35A D2PAK
Производитель:
NEXPERIA
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
55В
Ток стока макс.:
35A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
35 мОм @ 20А, 10В
Мощность макс.:
85Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 1mA
Входная емкость:
872пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
FKP300A FKP300A Транзистор полевой N-канальный 300В 30А 85Вт
Производитель:
Sanken Semiconductors
Корпус:
TO-3PF
Напряжение исток-сток макс.:
300В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
65 мОм
Мощность макс.:
85Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Входная емкость:
3800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQP2N90 FQP2N90 Транзистор полевой N-канальный 900В 2.2A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
900В
Ток стока макс.:
2.2A
Сопротивление открытого канала:
7.2 Ом
Мощность макс.:
85Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
500пФ
Тип монтажа:
Through Hole
FQP4P40 FQP4P40 Транзистор полевой P-канальный 400В 3.5A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
400В
Ток стока макс.:
3.5A
Сопротивление открытого канала:
3.1 Ом
Мощность макс.:
85Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
23нКл
Входная емкость:
680пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
HUF76423P3 HUF76423P3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 35A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
35A
Сопротивление открытого канала:
30 мОм
Мощность макс.:
85Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
1060пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STB10N60M2 STB10N60M2 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 7.5 А
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
7.5A
Сопротивление открытого канала:
600 мОм
Мощность макс.:
85Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
13.5нКл
Входная емкость:
400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STB11N65M5 STB11N65M5 Транзистор полевой N-канальный 650В 9A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
650В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
480 мОм
Мощность макс.:
85Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
644пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STD10N60M2 STD10N60M2 Транзистор полевой N-канальный 600В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
7.5A
Сопротивление открытого канала:
600 мОм
Мощность макс.:
85Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
13.5нКл
Входная емкость:
400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STD11N65M5 STD11N65M5 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 9 А
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
650В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
480 мОм
Мощность макс.:
85Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
620пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STD15N65M5 STD15N65M5 Транзистор полевой N-канальный 650В 11A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
650В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
340 мОм
Мощность макс.:
85Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
816пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STD80N10F7 STD80N10F7 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 70 А
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
70A
Сопротивление открытого канала:
10 мОм
Мощность макс.:
85Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
3100пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STP10N60M2 STP10N60M2 Транзистор полевой N-канальный 600В
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
600В
Ток стока макс.:
7.5A
Сопротивление открытого канала:
600 мОм
Мощность макс.:
85Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
13.5нКл
Входная емкость:
400пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP11N65M5 STP11N65M5 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 9 А
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
650В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
480 мОм
Мощность макс.:
85Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
644пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP15N65M5 STP15N65M5 Транзистор полевой N-канальный 650В 11A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
650В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
340 мОм
Мощность макс.:
85Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
810пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.66633 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"