Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (12)
PMV65XP,215 Транзистор полевой P-канальный 20В 2.8A Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2.8A Сопротивление открытого канала: 76 мОм Мощность макс.: 480мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 950mВ Заряд затвора: 7.6нКл Входная емкость: 725пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
4 163 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 7,84
FDG311N Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 1.9 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.9A Сопротивление открытого канала: 115 мОм Мощность макс.: 480мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 4.5нКл Входная емкость: 270пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDG312P Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 1.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.2A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 480мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 5нКл Входная емкость: 330пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDG315N Транзистор полевой N-канальный 30В 2A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 120 мОм Мощность макс.: 480мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 4нКл Входная емкость: 220пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDG316P Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 1.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 1.6A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 480мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 5нКл Входная емкость: 165пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDG328P Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 1.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1.5A Сопротивление открытого канала: 145 мОм Мощность макс.: 480мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 2.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 6нКл Входная емкость: 337пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDG332PZ Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 2.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2.6A Сопротивление открытого канала: 95 мОм Мощность макс.: 480мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 10.8нКл Входная емкость: 560пФ Тип монтажа: Surface Mount
NTR3A30PZT1G Полевой транзистор P-канальный 20В 2.9A 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3A Сопротивление открытого канала: 38 мОм Мощность макс.: 480мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 17.6нКл Входная емкость: 1651пФ Тип монтажа: Surface Mount
NTR4171PT1G Транзистор полевой P-канальный 30В 2.2A Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 2.2A Сопротивление открытого канала: 75 мОм Мощность макс.: 480мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.4В Заряд затвора: 15.6нКл Входная емкость: 720пФ Тип монтажа: Surface Mount
PMV250EPEAR Транзистор полевой P-канальный 40В 1.5A Aвтомобильного применения 3-Pin TO-236AB лента на катушке Производитель: NEXPERIA Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 1.5A Сопротивление открытого канала: 240 мОм Мощность макс.: 480мВт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Заряд затвора: 6нКл Входная емкость: 450пФ Тип монтажа: Surface Mount
PMV65XPEAR Полевой транзистор P-канальный 20В 2.8A автомобильного применения 3-Pin TO-236AB лента на катушке Производитель: NEXPERIA Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2.8A Сопротивление открытого канала: 78 мОм Мощность макс.: 480мВт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±12В Заряд затвора: 9нКл Входная емкость: 618пФ Тип монтажа: Surface Mount
PMV65XPER Транзистор полевой P-канальный 20В 3.3A 3-Pin TO-236AB Производитель: NEXPERIA Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2.8A Сопротивление открытого канала: 78 мОм Мощность макс.: 480мВт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±12В Заряд затвора: 9нКл Входная емкость: 618пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"