Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип транзистора

MOSFET N-Channel, Metal Oxide(3)
N-канал(4267)
N/P-канал(6)
2P-канал(1)
N-Channel(3)
P-Channel(1)
2N-канал(2)
P-канал(875)

Тип монтажа

Surface Mount(2856)
Chassis Mount(1)
Through Hole(1494)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (27)

SPD06N80C3ATMA1 Транзистор полевой N-канальный 800В 6А 83Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO252-3 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 900 мОм Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 41нКл Входная емкость: 785пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

69 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 312,12₽

Акция

SPP06N80C3 Транзистор полевой N-канальный 800В 6A Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO220-3 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 900 мОм Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 41нКл Входная емкость: 785пФ Тип монтажа: Through Hole

Наличие:

163 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 495,34₽

FDD4685-F085 Полевой транзистор P-канальный 40В 32A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: ON Semiconductor Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 8.4A Сопротивление открытого канала: 27 мОм Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Заряд затвора: 27нКл Входная емкость: 2380пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

FDD5N60NZTM Полевой транзистор, N-канальный, 600 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 2 Ом Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 13нКл Входная емкость: 600пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IPD60R385CPATMA1 Транзистор полевой N-канальный 650В 9A Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO252-3 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 385 мОм Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 22нКл Входная емкость: 790пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFH7545TRPBF Транзистор полевой N-канальный 60В 85A Производитель: Infineon Technologies Корпус: PQFN (5x6) Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 85A Сопротивление открытого канала: 5.2 мОм Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 3890пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRFR420APBF Транзистор полевой N-канальный 500В 3.3A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 3.3A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 340пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Новинка

IRFR420ATRPBF Транзистор полевой N-канальный 500В 3.3A Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 3.3A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 340пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFU420APBF Транзистор полевой N-канальный 500В 3.3А 83Вт Производитель: Vishay Корпус: TO-251AA Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 3.3A Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 340пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

NDD04N60ZT4G Транзистор полевой N-канальный 600В 4.1A Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 4.1A Сопротивление открытого канала: 2 Ом Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 640пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTD6415ANLT4G Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 23 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 23A Сопротивление открытого канала: 52 мОм Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 1024пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7469DP-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 80В 28A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 28A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 160нКл Входная емкость: 4700пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7469DP-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 80В 28A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 80В Ток стока макс.: 28A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 160нКл Входная емкость: 4700пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7489DP-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 100В 28A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAK® SO-8 Single Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 28A Сопротивление открытого канала: 41 мОм Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 160нКл Входная емкость: 4600пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7489DP-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 100В 28A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 28A Сопротивление открытого канала: 41 мОм Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 160нКл Входная емкость: 4600пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7658ADP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 2.2 мОм Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 110нКл Входная емкость: 4590пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIR158DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 1.8 мОм Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 130нКл Входная емкость: 4980пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIR414DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 50 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 2.8 мОм Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 117нКл Входная емкость: 4750пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIR438DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 25В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 1.8 мОм Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 105нКл Входная емкость: 4560пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIR846ADP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 7.8 мОм Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 66нКл Входная емкость: 2350пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"