Одиночные MOSFET транзисторы

27
Мощность макс.: 83Вт
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (27)
-6% Акция
IRFU420APBF IRFU420APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 3.3А 83Вт
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-251AA
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
3.3A
Сопротивление открытого канала:
3 Ом
Мощность макс.:
83Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
340пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
309 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 22,27
SI7469DP-T1-GE3 SI7469DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 80В 28A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
28A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
83Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
160нКл
Входная емкость:
4700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
594 шт

Внешние склады:
60 шт
Аналоги:
680 шт
Цена от:
от 93,12
SI7489DP-T1-GE3 SI7489DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 28A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
28A
Сопротивление открытого канала:
41 мОм
Мощность макс.:
83Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
160нКл
Входная емкость:
4600пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
375 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 101,37
SPD06N80C3ATMA1 SPD06N80C3ATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 6А 83Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO252-3
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
900 мОм
Мощность макс.:
83Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
41нКл
Входная емкость:
785пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
419 шт

Внешние склады:
1 000 шт
Цена от:
от 103,90
-6% Акция
SPP06N80C3 SPP06N80C3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 6A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO220-3
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
900 мОм
Мощность макс.:
83Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
41нКл
Входная емкость:
785пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Наличие:
108 шт

Внешние склады:
0 шт
Цена от:
от 252,69
SI7469DP-T1-E3 SI7469DP-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 80В 28A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
80В
Ток стока макс.:
28A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
83Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
160нКл
Входная емкость:
4700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
680 шт
Аналоги:
654 шт
Цена от:
от 94,91
FDD4685-F085 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 32A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
ON Semiconductor
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
8.4A
Сопротивление открытого канала:
27 мОм
Мощность макс.:
83Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Automotive
Пороговое напряжение включения макс.:
±20В
Заряд затвора:
27нКл
Входная емкость:
2380пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
FDD5N60NZTM FDD5N60NZTM Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
2 Ом
Мощность макс.:
83Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
13нКл
Входная емкость:
600пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IPD60R385CPATMA1 IPD60R385CPATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 9A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO252-3
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
9A
Сопротивление открытого канала:
385 мОм
Мощность макс.:
83Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Заряд затвора:
22нКл
Входная емкость:
790пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFH7545TRPBF IRFH7545TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 85A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PQFN (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
85A
Сопротивление открытого канала:
5.2 мОм
Мощность макс.:
83Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.7В
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
3890пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRFR420APBF IRFR420APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 3.3A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
3.3A
Сопротивление открытого канала:
3 Ом
Мощность макс.:
83Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
340пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 544 шт
Цена от:
от 19,88
IRFR420ATRPBF IRFR420ATRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 3.3A
Производитель:
Vishay
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
3.3A
Сопротивление открытого канала:
3 Ом
Мощность макс.:
83Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
340пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 544 шт
Цена от:
от 19,88
NDD04N60ZT4G NDD04N60ZT4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4.1A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
4.1A
Сопротивление открытого канала:
2 Ом
Мощность макс.:
83Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
640пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
NTD6415ANLT4G NTD6415ANLT4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 23A
Производитель:
ON Semiconductor
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
23A
Сопротивление открытого канала:
52 мОм
Мощность макс.:
83Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
1024пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI7489DP-T1-E3 SI7489DP-T1-E3 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 28A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAK® SO-8 Single
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
28A
Сопротивление открытого канала:
41 мОм
Мощность макс.:
83Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
160нКл
Входная емкость:
4600пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
375 шт
Цена от:
от 101,37
SI7658ADP-T1-GE3 SI7658ADP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 60A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
60A
Сопротивление открытого канала:
2.2 мОм
Мощность макс.:
83Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
110нКл
Входная емкость:
4590пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIR158DP-T1-GE3 SIR158DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 60A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
60A
Сопротивление открытого канала:
1.8 мОм
Мощность макс.:
83Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
130нКл
Входная емкость:
4980пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIR414DP-T1-GE3 SIR414DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 50A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
50A
Сопротивление открытого канала:
2.8 мОм
Мощность макс.:
83Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
117нКл
Входная емкость:
4750пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIR438DP-T1-GE3 SIR438DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 60A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
25В
Ток стока макс.:
60A
Сопротивление открытого канала:
1.8 мОм
Мощность макс.:
83Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.3В
Заряд затвора:
105нКл
Входная емкость:
4560пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIR846ADP-T1-GE3 SIR846ADP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 60A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
60A
Сопротивление открытого канала:
7.8 мОм
Мощность макс.:
83Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
66нКл
Входная емкость:
2350пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.59762 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"