Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип транзистора

2P-канал(1)
N-Channel(3)
P-Channel(1)
2N-канал(2)
P-канал(875)
MOSFET N-Channel, Metal Oxide(3)
N-канал(4267)
N/P-канал(6)

Тип монтажа

Through Hole(1494)
Surface Mount(2856)
Chassis Mount(1)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (21)

Новинка

IRFH7440TRPBF Транзистор полевой N-канальный 40В 85A Производитель: Infineon Technologies Корпус: PQFN 5x6 mm Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 85A Сопротивление открытого канала: 2.4 мОм Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 138нКл Входная емкость: 4574пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

379 шт

Под заказ:

0 шт

Цена от:

от 41,36₽

IPW65R280E6FKSA1 Полевой транзистор N-канальный 700В 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-247 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 13.8A Сопротивление открытого канала: 280 мОм Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 45нКл Входная емкость: 950пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

SI7135DP-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 3.9 мОм Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 250нКл Входная емкость: 8650пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7137DP-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 1.95 мОм Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1.4В Заряд затвора: 585нКл Входная емкость: 20000пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7141DP-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 1.9 мОм Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 400нКл Входная емкость: 14300пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7145DP-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 30В 60A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 2.6 мОм Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 413нКл Входная емкость: 15660пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7157DP-T1-GE3 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 1.6 мОм Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.4В Заряд затвора: 625нКл Входная емкость: 22000пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7164DP-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 60В 60A Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 6.25 мОм Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 75нКл Входная емкость: 2830пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7174DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 72нКл Входная емкость: 2770пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIE822DF-T1-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 50 А Производитель: Vishay Корпус: PolarPAKВ®10-(S) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 50A Сопротивление открытого канала: 3.4 мОм Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 78нКл Входная емкость: 4200пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIHD5N50D-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 5.3 А Производитель: Vishay Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 5.3A Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 325пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIHP5N50D-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 5.3 А Производитель: Vishay Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 5.3A Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В Заряд затвора: 20нКл Входная емкость: 325пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

SIR404DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 1.6 мОм Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 97нКл Входная емкость: 8130пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIR440DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 1.55 мОм Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 150нКл Входная емкость: 6000пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIR470DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 2.3 мОм Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 155нКл Входная емкость: 5660пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIR640ADP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 2 мОм Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 90нКл Входная емкость: 4240пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIR804DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 7.2 мОм Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 76нКл Входная емкость: 2450пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIR870ADP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 60 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 60A Сопротивление открытого канала: 6.6 мОм Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 80нКл Входная емкость: 2866пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIR872ADP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 53.7 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 53.7A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Заряд затвора: 47нКл Входная емкость: 1286пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SIR872DP-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 53.7 А Производитель: Vishay Корпус: PowerPAKВ® SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 53.7A Сопротивление открытого канала: 18 мОм Мощность макс.: 104Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Заряд затвора: 64нКл Входная емкость: 2130пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"