Одиночные MOSFET транзисторы Alpha & Omega Semiconductor

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (121)
AON6414A Транзистор полевой N-канальный 30В 13A 8-Pin DFN EP лента на катушке Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: 8-DFN (5x6) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 24нКл Входная емкость: 1380пФ Тип монтажа: Surface Mount
AON6512 МОП-транзистор, N-канальный, 30 В, 54 А, [DFN-8 5X6 EP] Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: 8-DFN (5x6) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 54A(Ta),150A(Tc) Сопротивление открытого канала: 1.7 мОм @ 20А, 10В Мощность макс.: 7.4Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В @ 250 µA Заряд затвора: 64нКл @ 10В Входная емкость: 3430пФ @ 15В Тип монтажа: Surface Mount
AON6558 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 30A 8DFN Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: 8-DFN-EP (5x6) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 25A(Ta),28A(Tc) Сопротивление открытого канала: 5.1 мОм @ 20А, 10В Мощность макс.: 5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В @ 250 µA Заряд затвора: 25нКл @ 10В Входная емкость: 1128пФ @ 15В Тип монтажа: Surface Mount
AON6816 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 16A 8-Pin DFN EP Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: 8-DFN (5x6) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 6.2 мОм @ 16А, 10В Мощность макс.: 2.8Вт
AON6884 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 34A 8-Pin DFN EP лента на катушке Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: 8-DFN (5x6) Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 11.3 мОм @ 10А, 10В Мощность макс.: 1.6Вт
AON7254 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 17A 8DFN Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: 8-DFN-EP (3.3x3.3) Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 5.5A(Ta),17A(Tc) Сопротивление открытого канала: 54 мОм @ 5А, 10В Мощность макс.: 4.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.7В @ 250 µA Заряд затвора: 20нКл @ 10В Входная емкость: 675пФ @ 75В Тип монтажа: Surface Mount
AON7296 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 5A 8DFN Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: 8-DFN (3x3) Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 5A(Ta),12.5A(Tc) Сопротивление открытого канала: 66 мОм @ 5А, 10В Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В @ 250 µA Заряд затвора: 12нКл @ 10В Входная емкость: 415пФ @ 50В Тип монтажа: Surface Mount
AON7410 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 9.5A 8DFN Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: 8-DFN (3x3) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 9.5A(Ta),24A(Tc) Сопротивление открытого канала: 20 мОм @ 8А, 10В Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В @ 250 µA Заряд затвора: 12нКл @ 10В Входная емкость: 660пФ @ 15В Тип монтажа: Surface Mount
AON7422E Полевой транзистор N-канальный 30В 40A 8-Pin DFN-A EP Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: 8-DFN (3x3) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 20A(Ta),40A(Tc) Сопротивление открытого канала: 4.3 мОм @ 20А, 10В Мощность макс.: 3.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В @ 250 µA Заряд затвора: 50нКл @ 10В Входная емкость: 2940пФ @ 15В Тип монтажа: Surface Mount
AON7422G 30V N-Channel MOSFET Производитель: Alpha & Omega Semiconductor
AON7423 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 28A 8DFN Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: 8-DFN-EP (3.3x3.3) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 28A(Ta),50A(Tc) Сопротивление открытого канала: 5 мОм @ 20А, 4.5В Мощность макс.: 6.2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.5V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 900mВ @ 250 µA Заряд затвора: 100нКл @ 4.5В Входная емкость: 5626пФ @ 10В Тип монтажа: Surface Mount
AON7611 MOSFET N/P-CH 30V 9A/18.5A 8DFN Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: 8-DFN (3x3)
AON7934 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 16A/18A DFN-A EP Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: DFN8-(3x3) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 13A,15A Сопротивление открытого канала: 10.2 мОм @ 13А, 10В Мощность макс.: 2.5Вт
AONR32314 Производитель: Alpha & Omega Semiconductor
AONR62818 Производитель: Alpha & Omega Semiconductor
AONS66402 Производитель: Alpha & Omega Semiconductor
AOT12N30L MOSFET N CH 300V 11.5A TO220 Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 300В Ток стока макс.: 11.5A(Tc) Сопротивление открытого канала: 420 мОм @ 6А, 10В Мощность макс.: 132Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В @ 250 µA Заряд затвора: 16нКл @ 10В Входная емкость: 790пФ @ 25В Тип монтажа: Through Hole
AOTF25S65 MOSFET N-CH 650V 25A TO220F Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 25A(Tc) Сопротивление открытого канала: 190 мОм @ 12.5А, 10В Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard Пороговое напряжение включения макс.: 4В @ 250 µA Заряд затвора: 26.4нКл @ 10В Входная емкость: 1278пФ @ 100В Тип монтажа: Through Hole
AOTF409 Полевой транзистор P-канальный 60В 5.4A TO220FL Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Корпус: TO-220FL Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 5.4A(Ta),24A(Tc) Сопротивление открытого канала: 40 мОм @ 20А, 10В Мощность макс.: 2.16Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В @ 250 µA Заряд затвора: 52нКл @ 10В Входная емкость: 2953пФ @ 30В Тип монтажа: Through Hole
AOTL66610 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 350A Производитель: Alpha & Omega Semiconductor
На странице: