Одиночные MOSFET транзисторы Diodes Incorporated

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (287)
ZVN2120GTA Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 320 мА Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 320мА Сопротивление открытого канала: 10 Ом Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Входная емкость: 85пФ Тип монтажа: Surface Mount
ZVN3306FTA Транзистор полевой N-канальный 60В 150мА Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 150мА Сопротивление открытого канала: 5 Ом Мощность макс.: 330мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Входная емкость: 35пФ Тип монтажа: Surface Mount
ZVN3310FTA Транзистор полевой N-канальный 100В 0.1A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 100мА Сопротивление открытого канала: 10 Ом Мощность макс.: 330мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Входная емкость: 40пФ Тип монтажа: Surface Mount
ZVN3320FTA Транзистор полевой N-канальный 200В 0.06A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 60мА Сопротивление открытого канала: 25 Ом Мощность макс.: 330мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Входная емкость: 45пФ Тип монтажа: Surface Mount
ZVN4106FTA Транзистор полевой N-канальный 60В 0.2A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 200мА Сопротивление открытого канала: 2.5 Ом Мощность макс.: 330мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Входная емкость: 35пФ Тип монтажа: Surface Mount
ZVN4206GVTA Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 1 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 1A Сопротивление открытого канала: 1 Ом Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Входная емкость: 100пФ Тип монтажа: Surface Mount
ZVN4210A Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 450 мА Производитель: Diodes Incorporated Корпус: TO92-3 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 450мА Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 700мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Входная емкость: 100пФ Тип монтажа: Through Hole
ZVN4210GTA Транзистор полевой N-канальный 100В 800мА Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 800мА Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Входная емкость: 100пФ Тип монтажа: Surface Mount
ZVN4306AV Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 1.1 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: TO92-3
ZVN4310GTA Транзистор полевой N-канальный 100В 1.67A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 1.67A Сопротивление открытого канала: 540 мОм Мощность макс.: 3Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Входная емкость: 350пФ Тип монтажа: Surface Mount
ZVN4424ASTZ Транзистор полевой N-канальный 240В 0.26A Aвтомобильного применения 3-Pin E-Line Box Производитель: Diodes Incorporated Корпус: TO92-3 Напряжение исток-сток макс.: 240В Ток стока макс.: 260мА Сопротивление открытого канала: 5.5 Ом Мощность макс.: 750мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.8В Входная емкость: 200пФ Тип монтажа: Through Hole
ZVN4424GTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 240В 500MA SOT223 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 240В Ток стока макс.: 500мА(Ta) Сопротивление открытого канала: 5.5 Ом @ 500mА, 10В Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.8В @ 1mA Входная емкость: 200пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
ZVN4525E6TA MOSFET N-CH 250V 230MA SOT-23-6 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23-6 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 230мА(Ta) Сопротивление открытого канала: 8.5 Ом @ 500mА, 10В Мощность макс.: 1.1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.8В @ 1mA Заряд затвора: 3.65нКл @ 10В Входная емкость: 72пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
ZVN4525GTA Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 310 мА Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 310мА Сопротивление открытого канала: 8.5 Ом Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.8В Заряд затвора: 3.65нКл Входная емкость: 72пФ Тип монтажа: Surface Mount
ZVNL110GTA Транзистор полевой N-канальный 100В 600мА Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 600мА Сопротивление открытого канала: 3 Ом Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Входная емкость: 75пФ Тип монтажа: Surface Mount
ZVP0545GTA Транзистор полевой P-канальный 450В 0.075A Aвтомобильного применения 4-Pin(3+Tab) SOT-223 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 450В Ток стока макс.: 75мА Сопротивление открытого канала: 150 Ом Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В Входная емкость: 120пФ Тип монтажа: Surface Mount
ZVP2106A Транзистор полевой P-канальный 60В 0.28A Aвтомобильного применения 3-Pin E-Line Производитель: Diodes Incorporated Корпус: TO92-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 280мА Сопротивление открытого канала: 5 Ом Мощность макс.: 700мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Входная емкость: 100пФ Тип монтажа: Through Hole
ZVP2106GTA Транзистор полевой P-канальный 60В 450мА Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 450мА Сопротивление открытого канала: 5 Ом Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Входная емкость: 100пФ Тип монтажа: Surface Mount
ZVP2110GTA Транзистор полевой P-канальный 100В 310мА Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 310мА Сопротивление открытого канала: 8 Ом Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Входная емкость: 100пФ Тип монтажа: Surface Mount
ZVP2120GTA Транзистор полевой P-канальный 200В 0.2A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 200мА Сопротивление открытого канала: 25 Ом Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В Входная емкость: 100пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице: