Одиночные MOSFET транзисторы Diodes Incorporated

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (287)
DMC3400SDW-7 Транзистор полевой N/P-канальный 30В 0.65A/0.45A 6-Pin SOT-363 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 0.65A/0.45A Тип транзистора: N/P-канал
Акция DMG1012T-7 Транзистор полевой N-канальный 20В 0.63A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-523 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-523 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 630мА Сопротивление открытого канала: 400 мОм Мощность макс.: 280мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 0.74нКл Входная емкость: 60.67пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMG1012UW-7 Транзистор полевой N-канальный 20В 1A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-323 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1A Сопротивление открытого канала: 450 мОм Мощность макс.: 290мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 0.74нКл Входная емкость: 60.67пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMG1013T-7 Транзистор полевой P-канальный 20В 0.46A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-523 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-523 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 460мА Сопротивление открытого канала: 700 мОм Мощность макс.: 270мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 0.622нКл Входная емкость: 59.76пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMG1013UW-7 Транзистор полевой P-канальный 20В 0.82A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-323 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 820мА Сопротивление открытого канала: 750 мОм Мощность макс.: 310мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 0.622нКл Входная емкость: 59.76пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMG2301U-7 Транзистор полевой P-канальный 20В 2.7A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 130 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 6.5нКл Входная емкость: 608пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMG2302U-7 Транзистор полевой N-канальный 20В 4.2A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 4.2A Сопротивление открытого канала: 90 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 7нКл Входная емкость: 594.3пФ Тип монтажа: Surface Mount
Новинка DMG2302UK-7 Транзистор полевой N-канальный 20В 2.8A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 2.8A Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive
Новинка DMG2305UX-13 Транзистор полевой P-канальный 20В 4.2A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 4.2A Сопротивление открытого канала: 52 мОм Мощность макс.: 1.4Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 900mВ Заряд затвора: 10.2нКл Входная емкость: 808пФ Тип монтажа: Surface Mount
Новинка DMG2305UX-7 Транзистор полевой P-канальный 20В 4.2A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 4.2A Сопротивление открытого канала: 52 мОм Мощность макс.: 1.4Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 900mВ Заряд затвора: 10.2нКл Входная емкость: 808пФ Тип монтажа: Surface Mount
Новинка DMG2307L-7 Транзистор полевой P-канальный 30В 2.5A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 2.5A Сопротивление открытого канала: 90 мОм Мощность макс.: 760мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 8.2нКл Входная емкость: 371.3пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMG3402L-7 Транзистор полевой N-канальный 30В 4A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 52 мОм Мощность макс.: 1.4Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.4В Заряд затвора: 11.7нКл Входная емкость: 464пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMG3414U-7 Транзистор полевой N-канальный 20В 4.2A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 4.2A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 780мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 900mВ Заряд затвора: 9.6нКл Входная емкость: 829.9пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMG3414UQ-7 Транзистор полевой N-канальный 20В 4.2A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 4.2A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 780мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: ±8В Заряд затвора: 9.6нКл Входная емкость: 829.9пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMG3415U-7 Транзистор полевой P-канальный 20В 4A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 39 мОм Мощность макс.: 900мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 9.1нКл Входная емкость: 294пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMG3418L-7 Транзистор полевой N-канальный 30В 4A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 1.4Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 5.5нКл Входная емкость: 464.3пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMG3420U-7 Транзистор полевой N-канальный 20В 5.47A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 5.47A Сопротивление открытого канала: 29 мОм Мощность макс.: 740мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В Заряд затвора: 5.4нКл Входная емкость: 434.7пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMG4413LSS-13 Полевой транзистор, P-канальный, 30 В, 10.5 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 10.5A Сопротивление открытого канала: 7.5 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В Заряд затвора: 46нКл Входная емкость: 4965пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMG4435SSS-13 Транзистор полевой P-канальный 30В 7.3A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 7.3A Сопротивление открытого канала: 16 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 35.4нКл Входная емкость: 1614пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMG4800LSD-13 Транзистор полевой N-канальный 30В 7.5A Aвтомобильного применения 8-Pin SO лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 7.5A Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive
На странице: