- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы Diodes Incorporated
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (287)
Новинка
DMP2035U-7
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.6A
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 3.6A
Сопротивление открытого канала: 35 мОм
Мощность макс.: 810мВт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1В
Заряд затвора: 15.4нКл
Входная емкость: 1610пФ
Тип монтажа: Surface Mount
DMP2035UVT-7
Транзистор полевой P-канальный 20В 6A
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT-23-6
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 6A
Сопротивление открытого канала: 35 мОм
Мощность макс.: 1.2Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В
Заряд затвора: 23.1нКл
Входная емкость: 2400пФ
Тип монтажа: Surface Mount
DMP2035UVTQ-7
Транзистор полевой P-канальный 20В 6A Aвтомобильного применения 6-Pin TSOT-26 лента на катушке
Производитель: Diodes Incorporated
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 7.2A
Сопротивление открытого канала: 35 мОм
Мощность макс.: 2Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Automotive
Пороговое напряжение включения макс.: ±12В
Заряд затвора: 23.1нКл
Входная емкость: 2400пФ
Тип монтажа: Surface Mount
DMP2045U-7
Транзистор полевой P-канальный 20В 4.3A 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель: Diodes Incorporated
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 4.3A
Тип транзистора: P-канал
Тип монтажа: Surface Mount
DMP2066LDM-7
MOSFET P-CH 20V 4.6A SOT-26
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT-26
DMP2066LSS-13
Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 6.5 А
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOIC8
DMP2066UFDE-7
Полевой транзистор P-канальный 20В 6.2A автомобильного применения 6-Pin DFN EP лента на катушке
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: DFN6 2020 (2x2)
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 6.2A
Сопротивление открытого канала: 36 мОм
Мощность макс.: 660мВт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В
Заряд затвора: 14.4нКл
Входная емкость: 1537пФ
Тип монтажа: Surface Mount
DMP2100U-7
Полевой транзистор P-канальный 20В 4.3A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT23-3
DMP2100UQ-7
Полевой транзистор P-канальный 20В 4.3A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 4.3A
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Automotive
Тип монтажа: Surface Mount
DMP210DUFB4-7
Полевой транзистор P-канальный 20В 0.2A автомобильного применения 3-Pin X2-DFN лента на катушке
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: X2-DFN1006-3
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 200мА
Сопротивление открытого канала: 5 Ом
Мощность макс.: 350мВт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1В
Входная емкость: 175пФ
Тип монтажа: Surface Mount
DMP2160U-7
Транзистор полевой P-канальный 20В 3.2A
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 3.2A
Сопротивление открытого канала: 80 мОм
Мощность макс.: 1.4Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 900mВ
Входная емкость: 627пФ
Тип монтажа: Surface Mount
DMP2160UW-7
Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 1.5 А
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT-323
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 1.5A
Сопротивление открытого канала: 100 мОм
Мощность макс.: 350мВт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 900mВ
Входная емкость: 627пФ
Тип монтажа: Surface Mount
DMP2170U-7
Транзистор полевой P-канальный 20В 3.1A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель: Diodes Incorporated
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 3.1A
Сопротивление открытого канала: 90 мОм
Мощность макс.: 780мВт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Automotive
Пороговое напряжение включения макс.: ±12В
Заряд затвора: 7.8нКл
Входная емкость: 303пФ
Тип монтажа: Surface Mount
DMP21D0UFB4-7B
Транзистор полевой P-канальный 20В 1.17A Aвтомобильного применения 3-Pin X2-DFN лента на катушке
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT-883
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 770мА
Сопротивление открытого канала: 495 мОм
Мощность макс.: 430мВт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 700mВ
Заряд затвора: 1.54нКл
Входная емкость: 80пФ
Тип монтажа: Surface Mount
DMP21D2UFA-7B
Транзистор полевой P-канальный 20В 0.33A 3-Pin X2-DFN лента на катушке
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: X2-DFN0806-3
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 330мА
Сопротивление открытого канала: 1 Ом
Мощность макс.: 360мВт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1В
Заряд затвора: 0.8нКл
Входная емкость: 49пФ
Тип монтажа: Surface Mount
DMP21D5UFB4-7B
Транзистор полевой P-канальный 20В 0.7A Aвтомобильного применения 3-Pin DFN лента на катушке
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT-883
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 700мА
Сопротивление открытого канала: 970 мОм
Мощность макс.: 460мВт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1В
Заряд затвора: 500нКл
Входная емкость: 46.1пФ
Тип монтажа: Surface Mount
DMP2305U-7
Транзистор полевой P-канальный 20В 4.2A
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 4.2A
Сопротивление открытого канала: 60 мОм
Мощность макс.: 1.4Вт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 900mВ
Заряд затвора: 7.6нКл
Входная емкость: 727пФ
Тип монтажа: Surface Mount
DMP3008SFGQ-7
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В
Производитель: Diodes Incorporated
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 8.6A
Сопротивление открытого канала: 17 мОм
Мощность макс.: 900мВт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: ±20В
Заряд затвора: 47нКл
Входная емкость: 2230пФ
Тип монтажа: Surface Mount
DMP3013SFV-7
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 12A 8-Pin PowerDIР EP лента на катушке
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: PowerDI3333-8
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 12А
Тип транзистора: P-канальный
DMP3017SFG-7
MOSFET P-CH 30V POWERDI3333-8
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: PowerDI3333-8
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара