Одиночные MOSFET транзисторы Diodes Incorporated

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (287)
DMP4050SSS-13 Транзистор полевой P-канальный 40В 4.4A Aвтомобильного применения 8-Pin SO лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 4.4A Сопротивление открытого канала: 50 мОм Мощность макс.: 1.56Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 13.9нКл Входная емкость: 674пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMP4065S-7 Транзистор полевой P-канальный 40В 2.4A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 2.4A Сопротивление открытого канала: 80 мОм Мощность макс.: 720мВт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Заряд затвора: 12.2нКл Входная емкость: 587пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMP6110SFDF-7 Транзистор полевой P-канальный 60В 3.5A Aвтомобильного применения 6-Pin UDFN EP лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 3.5A Тип транзистора: P-канал Особенности: Automotive
DMP6180SK3-13 Транзистор полевой P-канальный 60В 14A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 110 мОм Мощность макс.: 1.7Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.7В Заряд затвора: 17.1нКл Входная емкость: 984.7пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMP6180SK3Q-13 Транзистор полевой P-канальный 60В 14A Aвтомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 14A Сопротивление открытого канала: 110 мОм Мощность макс.: 2.7Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Заряд затвора: 17.1нКл Входная емкость: 984.7пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMS3015SSS-13 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 11 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: 8-SO
DMT3006LFDF-13 Производитель: Diodes Incorporated
DMTH10H017LPDQ-13 Производитель: Diodes Incorporated
DMTH4007LPS-13 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 15.5A 6.5мОм 2.7Вт Производитель: Diodes Incorporated
DMTH6010LPDQ-13 Полевой транзистор N-канальный 60В 13.1A автомобильного применения 8-Pin PowerDI EP лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 13.1A Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive
DMTH6016LPDQ-13 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 9.2A 8-Pin PowerDI EP лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated
DSS2515M-7B Биполярный транзистор NPN 15V 0.5A DFN1006-3 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-883
MMBF170-7-F Транзистор полевой N-канальный 60В 500мА Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 500мА Сопротивление открытого канала: 5 Ом Мощность макс.: 300мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Входная емкость: 40пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
8 276 шт
Цена от:
от 2,44
MMBF170Q-7-F Полевой транзистор N-канальный Производитель: Diodes Incorporated Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 500мА Сопротивление открытого канала: 5 Ом Мощность макс.: 300мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Входная емкость: 40пФ Тип монтажа: Surface Mount
VN10LFTA Транзистор полевой N-канальный 60В 0.15A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 150мА Сопротивление открытого канала: 5 Ом Мощность макс.: 330мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Входная емкость: 60пФ Тип монтажа: Surface Mount
ZVN0124A Полевой транзистор, N-канальный, 240 В, 0.16 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: TO92-3 Напряжение исток-сток макс.: 240В Ток стока макс.: 160мА Сопротивление открытого канала: 16 Ом Мощность макс.: 700мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Входная емкость: 85пФ Тип монтажа: Through Hole
ZVN0545GTA Транзистор полевой N-канальный 450В 140мА Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 450В Ток стока макс.: 140мА Сопротивление открытого канала: 50 Ом Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: Входная емкость: 70пФ Тип монтажа: Surface Mount
ZVN2106GTA Транзистор полевой N-канальный 60В 0.71A Aвтомобильного применения 4-Pin(3+Tab) SOT-223 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 710мА Сопротивление открытого канала: 2 Ом Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Входная емкость: 75пФ Тип монтажа: Surface Mount
Новинка ZVN2110A Транзистор полевой N-канальный 100В 320мА Производитель: Diodes Incorporated Корпус: TO92-3 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 320мА Сопротивление открытого канала: 4 Ом Мощность макс.: 700мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Входная емкость: 75пФ Тип монтажа: Through Hole
ZVN2110GTA Транзистор полевой N-канальный 100В 500мА Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 500мА Сопротивление открытого канала: 4 Ом Мощность макс.: 2Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В Входная емкость: 75пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице: