- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы Diodes Incorporated
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (287)
ZXMN10A08GTA
Транзистор полевой N-канальный 100В 2A Aвтомобильного применения 4-Pin(3+Tab) SOT-223 лента на катушке
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 2A
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive
ZXMN10A09KTC
Транзистор полевой N-канальный 100В 5A
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 5A
Сопротивление открытого канала: 85 мОм
Мощность макс.: 2.15Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 26нКл
Входная емкость: 1313пФ
Тип монтажа: Surface Mount
ZXMN10A11GTA
Транзистор полевой N-канальный 100В 2.4A
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 2.4А
Тип транзистора: N-канал
ZXMN10A11KTC
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 2.4 А
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 2.4A
Сопротивление открытого канала: 350 мОм
Мощность макс.: 2.11Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 5.4нКл
Входная емкость: 274пФ
Тип монтажа: Surface Mount
ZXMN10A25GTA
Транзистор полевой N-канальный 100В 2.9A
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT-223
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 2.9A
Сопротивление открытого канала: 125 мОм
Мощность макс.: 2Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 17нКл
Входная емкость: 859пФ
Тип монтажа: Surface Mount
ZXMN10B08E6TA
Транзистор полевой N-канальный 100В 1.6A
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT-23-6
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 1.6A
Сопротивление открытого канала: 230 мОм
Мощность макс.: 1.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 9.2нКл
Входная емкость: 497пФ
Тип монтажа: Surface Mount
ZXMN15A27KTC
Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 1.7 А
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: TO-252-3
ZXMN20B28KTC
Транзистор полевой N-канальный 200В 1.5A
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 200В
Ток стока макс.: 1.5A
Сопротивление открытого канала: 750 мОм
Мощность макс.: 2.2Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 8.1нКл
Входная емкость: 358пФ
Тип монтажа: Surface Mount
ZXMN2A01FTA
Транзистор полевой N-канальный 20В 2.2A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 1.9A
Сопротивление открытого канала: 120 мОм
Мощность макс.: 625мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 700mВ
Заряд затвора: 3нКл
Входная емкость: 303пФ
Тип монтажа: Surface Mount
ZXMN2A03E6TA
Транзистор полевой N-канальный 20В 3.6A
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT-23-6
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 3.7A
Сопротивление открытого канала: 55 мОм
Мощность макс.: 1.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 700mВ
Заряд затвора: 8.2нКл
Входная емкость: 837пФ
Тип монтажа: Surface Mount
ZXMN2A14FTA
Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 3.4 А
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 3.4A
Сопротивление открытого канала: 60 мОм
Мощность макс.: 1Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 700mВ
Заряд затвора: 6.6нКл
Входная емкость: 544пФ
Тип монтажа: Surface Mount
ZXMN2B03E6TA
Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 4.3 А
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT-23-6
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 4.3A
Сопротивление открытого канала: 40 мОм
Мощность макс.: 1.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1В
Заряд затвора: 14.5нКл
Входная емкость: 1160пФ
Тип монтажа: Surface Mount
ZXMN2F30FHTA
Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 4.1 А
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 4.1A
Сопротивление открытого канала: 45 мОм
Мощность макс.: 960мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В
Заряд затвора: 4.8нКл
Входная емкость: 452пФ
Тип монтажа: Surface Mount
ZXMN3A01E6TA
Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 2.4 А
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT-23-6
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 2.4A
Сопротивление открытого канала: 120 мОм
Мощность макс.: 1.1Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1В
Заряд затвора: 3.9нКл
Входная емкость: 190пФ
Тип монтажа: Surface Mount
ZXMN3A01FTA
Транзистор полевой N-канальный 30В 1.8A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 1.8A
Сопротивление открытого канала: 120 мОм
Мощность макс.: 625мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1В
Заряд затвора: 3.9нКл
Входная емкость: 190пФ
Тип монтажа: Surface Mount
ZXMN3A14FTA
Полевой транзистор N-канальный 30В 3.2A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 3.2A
Сопротивление открытого канала: 65 мОм
Мощность макс.: 1Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1В
Заряд затвора: 8.6нКл
Входная емкость: 448пФ
Тип монтажа: Surface Mount
ZXMN3B14FTA
Полевой транзистор N-канальный 30В 2.9A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 2.9A
Сопротивление открытого канала: 80 мОм
Мощность макс.: 1Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 700mВ
Заряд затвора: 6.7нКл
Входная емкость: 568пФ
Тип монтажа: Surface Mount
ZXMN3F30FHTA
Транзистор полевой N-канальный 30В 3.8A
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 3.8A
Сопротивление открытого канала: 47 мОм
Мощность макс.: 950мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Заряд затвора: 7.7нКл
Входная емкость: 318пФ
Тип монтажа: Surface Mount
ZXMN4A06KTC
Транзистор полевой N-канальный 40В 7.2A Aвтомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель: Diodes Incorporated
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Ток стока макс.: 7.2A
Сопротивление открытого канала: 50 мОм
Мощность макс.: 2.15Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1В
Заряд затвора: 17.1нКл
Входная емкость: 827пФ
Тип монтажа: Surface Mount
ZXMN6A07FQTA
Полевой транзистор N-канальный 60В 1.2A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель: Diodes Incorporated
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 1.2A
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара