- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы Diodes Incorporated
929
Производитель:
Diodes Incorporated
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (929)
DMN26D0UFB4-7
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 0.24A автомобильного применения 3-Pin X2-DFN лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
3-DFN1006H4 (1.0x0.6)
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
230мА
Сопротивление открытого канала:
3 Ом
Мощность макс.:
350мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.1В
Входная емкость:
14.1пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
DMN2710UW-13
20V 900mA 450mOm@4.5V 470mW One N-channel SOT-323 Single FETs, MOSFETs RoHS
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-323
Производитель:
Diodes Incorporated
DMN3010LK3-13
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13.1A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
TO-252
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
13.1A(Ta),43A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
9.5 мОм @ 18А, 10В
Мощность макс.:
1.6Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В @ 250 µA
Заряд затвора:
37нКл @ 10В
Входная емкость:
2075пФ @ 15В
Тип монтажа:
Surface Mount
DMN3033LSN-7
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 6A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SC-59-3
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
6A
Сопротивление открытого канала:
30 мОм
Мощность макс.:
1.4Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В
Заряд затвора:
10.5нКл
Входная емкость:
755пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Производитель:
Diodes Incorporated
DMN3150LW-7
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 28В 1.6A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-323
Напряжение сток-исток макс.:
28В
Ток стока макс.:
1.6A
Сопротивление открытого канала:
88 мОм
Мощность макс.:
350мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.4В
Входная емкость:
305пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
DMN31D6UT-13
30V 350mA 1.5Om@4.5V 210mW One N-channel SOT-523 Single FETs, MOSFETs RoHS
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-523
DMN31D6UT-7
Trans MOSFET N-CH 30V 0.35A 3-Pin SOT-523 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-523
DMN3300U-7
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 2A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
DMN33D8LDWQ-7
30V 250mA 350mW 7Om@2.5V SOT-363 Single FETs, MOSFETs RoHS
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-363
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара