Одиночные MOSFET транзисторы Diodes Incorporated

929
Производитель: Diodes Incorporated
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (929)
2N7002VAC-7 2N7002VAC-7 Trans MOSFET N-CH 60V 0.28A 6-Pin SOT-563 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
2N7002VC-7 2N7002VC Series 60 V 280 mA 7.5 Ohm Dual N-Ch Enhancement Mode Mosfet - SOT-563
Производитель:
Diodes Incorporated
BS107P BS107P Trans MOSFET N-CH 200V 0.12A 3-Pin E-Line
Производитель:
Diodes Incorporated
BS107PSTZ BS107PSTZ Trans MOSFET N-CH 200V 0.12A 3-Pin E-Line T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
BS170F BS170F MOSFET, N-CH, 60V, 0.15A, SOT-23;
Производитель:
Diodes Incorporated
BS170FTA BS170FTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 150мА
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
150мА
Сопротивление открытого канала:
5 Ом
Мощность макс.:
330мВт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Входная емкость:
60пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
3 503 шт
Цена от:
от 4,93
BS170P BS170P Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin E-Line
Производитель:
Diodes Incorporated
BS250P BS250P Транзистор полевой MOSFET P-канальный 45В 230мА, 0.7Вт
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
TO92-3
Напряжение сток-исток макс.:
45В
Ток стока макс.:
230мА
Сопротивление открытого канала:
14 Ом
Мощность макс.:
700мВт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Входная емкость:
60пФ
Тип монтажа:
Through Hole
BS870-7-F BS870-7-F Trans MOSFET N-CH 60V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
BS870Q-7-F BS870Q-7-F Trans MOSFET N-CH 60V 0.25A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
BSN20Q-7 BSN20Q-7 MOSFET, N-CH, 50V, 0.5A, SOT-23;
Производитель:
Diodes Incorporated
BSS123 BSS123 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 0.17А 0.36Вт, 6.0 Ом
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
170мА
Сопротивление открытого канала:
6 Ом
Мощность макс.:
360мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
2.5нКл
Входная емкость:
73пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
186 500 шт
Цена от:
от 0,79
BSS123-13-F BSS123-13-F Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-23
BSS123Q-13 BSS123Q-13 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 0.17A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
186 500 шт
Цена от:
от 0,79
BSS123Q-7 BSS123Q-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 0.17A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-23
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
186 500 шт
Цена от:
от 0,79
BSS123TA BSS123TA MOSFET,N CH,100V,0.17A,SOT23-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:170mA; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):6ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.2V; Power
Производитель:
Diodes Incorporated
BSS123W-7-F BSS123W-7-F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 170мА
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-323
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
170мА
Сопротивление открытого канала:
6 Ом
Мощность макс.:
200мВт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Входная емкость:
60пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BSS123WQ-7-F BSS123WQ-7-F Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 0.17A автомобильного применения 3-Pin SOT-323 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
0.17А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
BSS127S-7 BSS127S-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 0.05A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
50мА
Сопротивление открытого канала:
160 Ом
Мощность макс.:
610мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
1.08нКл
Входная емкость:
21.8пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
BSS127SSN-7 BSS127SSN-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 50MA SC59
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SC-59
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
50мА(Ta)
Сопротивление открытого канала:
160 Ом @ 16mА, 10В
Мощность макс.:
610мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В @ 250 µA
Заряд затвора:
1.08нКл @ 10В
Входная емкость:
21.8пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице: