Одиночные MOSFET транзисторы Diodes Incorporated

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (287)
DMG4822SSD-13 Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 10 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 10А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
DMG4822SSDQ-13 Производитель: Diodes Incorporated Напряжение исток-сток макс.: 30В Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
DMG6968U-7 Транзистор полевой N-канальный 20В 6.5A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 6.5A Сопротивление открытого канала: 25 мОм Мощность макс.: 810мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 900mВ Заряд затвора: 8.5нКл Входная емкость: 151пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMG7430LFG-7 Транзистор полевой N-канальный 30В 10.5A Aвтомобильного применения 8-Pin PowerDI EP лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: PowerDI3333-8 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 10.5A Сопротивление открытого канала: 11 мОм Мощность макс.: 900мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 26.7нКл Входная емкость: 1281пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMN1019UFDE-7 Транзистор полевой N-канальный 12В 11A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: uDFN6 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 690мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 800mВ Заряд затвора: 50.6нКл Входная емкость: 2425пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMN1025UFDB-7 Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Производитель: Diodes Incorporated Тип транзистора: N-канальный
DMN10H220L-7 Транзистор полевой N-канальный 100В 1.6A SOT-23 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 1.4A(Ta) Сопротивление открытого канала: 220 мОм @ 1.6А, 10В Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В @ 250 µA Заряд затвора: 8.3нКл @ 10В Входная емкость: 401пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount
DMN10H700S-7 Полевой транзистор N-канальный 100В 0.7A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 700мА Сопротивление открытого канала: 700 мОм Мощность макс.: 400мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Заряд затвора: 4.6нКл Входная емкость: 235пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMN2004DWK-7 Полевой транзистор N-канальный 20В 0.54A автомобильного применения 6-Pin SOT-363 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-363 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 540мА Сопротивление открытого канала: 550 мОм Мощность макс.: 200мВт Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount
DMN2004K-7 Транзистор полевой N-канальный 20В 0.63A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 630мА Сопротивление открытого канала: 550 мОм Мощность макс.: 350мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Входная емкость: 150пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMN2004WK-7 Транзистор полевой N-канальный 20В 540мА Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 540мА Сопротивление открытого канала: 550 мОм Мощность макс.: 200мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive, Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Входная емкость: 150пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMN2005LP4K-7 Полевой транзистор N-канальный 20В 0.3A автомобильного применения 3-Pin DFN лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-883 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 200мА(Ta) Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом @ 10mА, 4В Мощность макс.: 200мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 900mВ @ 100 µA Входная емкость: 41пФ @ 3В Тип монтажа: Surface Mount
DMN2005LPK-7 Транзистор полевой N-канальный 20В 0.44A Aвтомобильного применения 3-Pin DFN лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-883 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 440мА Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом Мощность макс.: 450мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В Тип монтажа: Surface Mount
DMN2011UFX-7 Транзистор полевой N-канальный 20В 12.2A Aвтомобильного применения 4-Pin VDFN EP лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 12.2A Тип транзистора: N-канал Особенности: Automotive Тип монтажа: Surface Mount
DMN2020LSN-7 Транзистор полевой N-канальный 20В 6.9A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 6.9A Сопротивление открытого канала: 20 мОм Мощность макс.: 610мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 11.6нКл Входная емкость: 1149пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMN2022UFDF-7 Транзистор полевой N-канальный 20В 7.9A Aвтомобильного применения 6-Pin UDFN EP лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: uDFN6 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 7.9A Сопротивление открытого канала: 22 мОм Мощность макс.: 660мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 18нКл Входная емкость: 907пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMN2041L-7 Транзистор полевой N-канальный 20В 6.4A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 6.4A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 780мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В Заряд затвора: 15.6нКл Входная емкость: 550пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMN2046U-7 Транзистор полевой N-канальный 20В 3.4A 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 3.4A Сопротивление открытого канала: 72 мОм Мощность макс.: 760мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±12В Заряд затвора: 3.8нКл Входная емкость: 292пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMN2050L-7 Транзистор полевой N-канальный 20В 5.9A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 5.9A Сопротивление открытого канала: 29 мОм Мощность макс.: 1.4Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.4В Заряд затвора: 6.7нКл Входная емкость: 532пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMN2056U-7 Транзистор полевой N-канальный 20В 4A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 38 мОм Мощность макс.: 940мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±8В Заряд затвора: 4.3нКл Входная емкость: 339пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице: