Одиночные MOSFET транзисторы Diodes Incorporated

929
Производитель: Diodes Incorporated
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (929)
ZVN3320FTA ZVN3320FTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 0.06A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
ZVN4106FTA ZVN4106FTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 0.2A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
ZVN4206GTA ZVN4206G Series 60 V 1 Ohm N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET -SOT-223
Производитель:
Diodes Incorporated
ZVN4206GVTA ZVN4206GVTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 1A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
1A
Сопротивление открытого канала:
1 Ом
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Входная емкость:
100пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZVN4210A ZVN4210A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 450мА
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
TO92-3
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
450мА
Сопротивление открытого канала:
1.5 Ом
Мощность макс.:
700мВт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В
Входная емкость:
100пФ
Тип монтажа:
Through Hole
ZVN4210GTA ZVN4210GTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 800мА
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
ZVN4306GTA ZVN4306GTA Trans MOSFET N-CH 60V 2.1A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
ZVN4306GVTA ZVN4306GVTA Trans MOSFET N-CH 60V 2.1A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
ZVN4310A ZVN4310A Trans MOSFET N-CH 100V 0.9A 3-Pin E-Line
Производитель:
Diodes Incorporated
ZVN4310GTA ZVN4310GTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.67A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
ZVN4424A ZVN4424A Trans MOSFET N-CH 240V 0.26A 3-Pin E-Line
Производитель:
Diodes Incorporated
ZVN4424ASTZ ZVN4424ASTZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 240В 0.26A автомобильного применения 3-Pin E-Line Box
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
E-Line (TO-92 compatible)
Напряжение сток-исток макс.:
240В
Ток стока макс.:
260мА
Сопротивление открытого канала:
5.5 Ом
Мощность макс.:
750мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.8В
Входная емкость:
200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
ZVN4424GTA ZVN4424GTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 240В 500MA SOT223
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
240В
Ток стока макс.:
500мА(Ta)
Сопротивление открытого канала:
5.5 Ом @ 500mА, 10В
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.8В @ 1mA
Входная емкость:
200пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
ZVN4525E6TA ZVN4525E6TA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 230MA SOT-23-6
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-23-6
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
230мА(Ta)
Сопротивление открытого канала:
8.5 Ом @ 500mА, 10В
Мощность макс.:
1.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.8В @ 1mA
Заряд затвора:
3.65нКл @ 10В
Входная емкость:
72пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
ZVN4525GTA ZVN4525GTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 310мА
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
250В
Ток стока макс.:
310мА
Сопротивление открытого канала:
8.5 Ом
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.8В
Заряд затвора:
3.65нКл
Входная емкость:
72пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZVN4525ZTA ZVN4525ZTA MOSFET, N-CH, 250V, 0.24A, SOT-89;
Производитель:
Diodes Incorporated
ZVNL110GTA ZVNL110GTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 600мА
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
600мА
Сопротивление открытого канала:
3 Ом
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Входная емкость:
75пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZVNL120GTA ZVNL120GTA MOSFET, N-CH, 200V, 0.32A, SOT-223;
Производитель:
Diodes Incorporated
ZVP0545GTA ZVP0545GTA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 450В 0.075A автомобильного применения 4-Pin(3+Tab) SOT-223 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
450В
Ток стока макс.:
75мА
Сопротивление открытого канала:
150 Ом
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Входная емкость:
120пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZVP1320FTA ZVP1320FTA MOSFET, P CH, 200V, 0.035A, SOT23; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-35mA; Drain Source Voltage Vds:-200V; On Resistance Rds(on):80ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-1.5V
Производитель:
Diodes Incorporated
На странице: