Одиночные MOSFET транзисторы Diodes Incorporated

929
Производитель: Diodes Incorporated
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (929)
ZVP2106ASTZ ZVP2106ASTZ Trans MOSFET P-CH 60V 0.28A 3-Pin E-Line T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
ZVP2106GTA ZVP2106GTA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 450мА
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
450мА
Сопротивление открытого канала:
5 Ом
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Входная емкость:
100пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZVP2110A ZVP2110A MOSFET, P, E-LINE; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:230mA; Drain Source Voltage Vds:-100V; On Resistance Rds(on):8ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-3.5V; Power Dissipati
Производитель:
Diodes Incorporated
ZVP2120GTA ZVP2120GTA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 0.2A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
200мА
Сопротивление открытого канала:
25 Ом
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Входная емкость:
100пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZVP3306A ZVP3306A Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 160мА
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
TO92-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
160мА
Сопротивление открытого канала:
14 Ом
Мощность макс.:
625мВт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Входная емкость:
50пФ
Тип монтажа:
Through Hole
ZVP3306FTA ZVP3306FTA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 0.09A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
90мА
Сопротивление открытого канала:
14 Ом
Мощность макс.:
330мВт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Входная емкость:
50пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZVP3310FTA ZVP3310FTA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 0.075A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
75мА
Сопротивление открытого канала:
20 Ом
Мощность макс.:
330мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Standard
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Входная емкость:
50пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZVP4424GTA ZVP4424GTA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 240В 0.48A автомобильного применения 4-Pin(3+Tab) SOT-223 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
240В
Ток стока макс.:
480мА
Сопротивление открытого канала:
9 Ом
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Входная емкость:
200пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZVP4424ZTA ZVP4424ZTA Trans MOSFET P-CH 240V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
ZVP4525E6TA ZVP4525E6TA MOSFET, P CH, -250V, -197A, 1.1W; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-197A; Drain Source Voltage Vds:-250V; On Resistance Rds(on):10ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-1.5V;
Производитель:
Diodes Incorporated
ZVP4525GTA ZVP4525GTA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 250В 265мА
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
ZVP4525ZTA ZVP4525ZTA Trans MOSFET P-CH 250V 0.205A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
ZXM61N02FTA ZXM61N02FTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 1.7A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1.7A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
625мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
700mВ
Заряд затвора:
3.4нКл
Входная емкость:
160пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXM61N02FTC ZXM61N02FTC Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 1.7A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1.7A
Сопротивление открытого канала:
180 мОм
Мощность макс.:
625мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
700mВ
Заряд затвора:
3.4нКл
Входная емкость:
160пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXM61N03FTA ZXM61N03FTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 1.4A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
1.4A
Сопротивление открытого канала:
220 мОм
Мощность макс.:
625мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
4.1нКл
Входная емкость:
150пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXM61P02FTA ZXM61P02FTA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 900мА
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
900мА
Сопротивление открытого канала:
600 мОм
Мощность макс.:
625мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
700mВ
Заряд затвора:
3.5нКл
Входная емкость:
150пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXM61P03FTA ZXM61P03FTA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 1.1A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
1.1A
Сопротивление открытого канала:
350 мОм
Мощность макс.:
625мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
4.8нКл
Входная емкость:
140пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXM62P02E6TA ZXM62P02E6TA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2.3A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-23-6
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
2.3A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
1.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
700mВ
Заряд затвора:
5.8нКл
Входная емкость:
320пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXM62P03E6TA ZXM62P03E6TA Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 6-Pin SOT-23 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
ZXM64P02XTA ZXM64P02XTA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.5A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
MSOP8
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3.5A
Сопротивление открытого канала:
90 мОм
Мощность макс.:
1.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
700mВ
Заряд затвора:
6.9нКл
Входная емкость:
900пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице: