- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы Diodes Incorporated
929
Производитель:
Diodes Incorporated
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (929)
ZXMN2A14FTA
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 3.4A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
3.4A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
700mВ
Заряд затвора:
6.6нКл
Входная емкость:
544пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMN2B03E6TA
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 4.3A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-23-6
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
4.3A
Сопротивление открытого канала:
40 мОм
Мощность макс.:
1.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1В
Заряд затвора:
14.5нКл
Входная емкость:
1160пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMN2F30FHTA
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 4.1A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
ZXMN3A01E6TA
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 2.4A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-23-6
ZXMN3A01FTA
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 1.8A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
ZXMN3A14FTA
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 3.2A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
3.2A
Сопротивление открытого канала:
65 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1В
Заряд затвора:
8.6нКл
Входная емкость:
448пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMN3B01FTA
N-Channel 30 V 0.15 Ohm Power MOSFET Surface Mount - SOT-23-3
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-23-3
ZXMN3B14FTA
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 2.9A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
2.9A
Сопротивление открытого канала:
80 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
700mВ
Заряд затвора:
6.7нКл
Входная емкость:
568пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMN3F30FHTA
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 3.8A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
3.8A
Сопротивление открытого канала:
47 мОм
Мощность макс.:
950мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
7.7нКл
Входная емкость:
318пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMN3F31DN8TA
Dual N-Channel 30 V 0.024 Ohm Surface Mount Enhancement Mode MOSFET - SOP-8
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOP-8
ZXMN4A06KTC
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 7.2A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
TO-252-3
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
7.2A
Сопротивление открытого канала:
50 мОм
Мощность макс.:
2.15Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1В
Заряд затвора:
17.1нКл
Входная емкость:
827пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара