Одиночные MOSFET транзисторы Diodes Incorporated

929
Производитель: Diodes Incorporated
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (929)
DMT6015LFVW-7 MOSFET BVDSS: 41V60V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
Производитель:
Diodes Incorporated
DMT616MLSS-13 DMT616MLSS-13 MOSFET, N-CH, 60V, 10A, SOIC;
Производитель:
Diodes Incorporated
DMTH10H017LPDQ-13 Trans MOSFET N-CH 100V 13A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
DMTH6016LPDQ-13 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 9.2A 8-Pin PowerDI EP лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
9.2А
Тип транзистора:
N-канальный
MMBF170Q-13-F MMBF170Q-13-F Trans MOSFET N-CH 60V 0.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-23
ZVN0545GTA ZVN0545GTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 450В 140мА
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
ZVN2110GTA ZVN2110GTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 500мА
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
500мА
Сопротивление открытого канала:
4 Ом
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В
Входная емкость:
75пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZVN3306A ZVN3306A Trans MOSFET N-CH 60V 0.27A 3-Pin E-Line
Производитель:
Diodes Incorporated
ZVN4210A ZVN4210A Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 450мА
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
TO92-3
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
450мА
Сопротивление открытого канала:
1.5 Ом
Мощность макс.:
700мВт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В
Входная емкость:
100пФ
Тип монтажа:
Through Hole
ZVN4210GTA ZVN4210GTA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 800мА
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
ZVN4306GTA ZVN4306GTA Trans MOSFET N-CH 60V 2.1A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
ZVN4306GVTA ZVN4306GVTA Trans MOSFET N-CH 60V 2.1A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
ZVN4310A ZVN4310A Trans MOSFET N-CH 100V 0.9A 3-Pin E-Line
Производитель:
Diodes Incorporated
ZVN4424A ZVN4424A Trans MOSFET N-CH 240V 0.26A 3-Pin E-Line
Производитель:
Diodes Incorporated
ZVN4424ASTZ ZVN4424ASTZ Транзистор полевой MOSFET N-канальный 240В 0.26A автомобильного применения 3-Pin E-Line Box
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
E-Line (TO-92 compatible)
Напряжение сток-исток макс.:
240В
Ток стока макс.:
260мА
Сопротивление открытого канала:
5.5 Ом
Мощность макс.:
750мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.8В
Входная емкость:
200пФ
Тип монтажа:
Through Hole
ZVP2120GTA ZVP2120GTA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 0.2A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
200В
Ток стока макс.:
200мА
Сопротивление открытого канала:
25 Ом
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Входная емкость:
100пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZVP3306FTA ZVP3306FTA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 0.09A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
90мА
Сопротивление открытого канала:
14 Ом
Мощность макс.:
330мВт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.5В
Входная емкость:
50пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXM62P02E6TA ZXM62P02E6TA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2.3A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-23-6
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
2.3A
Сопротивление открытого канала:
200 мОм
Мощность макс.:
1.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
700mВ
Заряд затвора:
5.8нКл
Входная емкость:
320пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXM66P03N8TA ZXM66P03N8TA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 7.9A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOP8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
6.25A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
1.56Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
36нКл
Входная емкость:
1979пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMN0545G4TA ZXMN0545G4TA Транзистор полевой MOSFET N-канальный 450В 140мА
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
450В
Ток стока макс.:
140мА
Сопротивление открытого канала:
50 Ом
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Входная емкость:
70пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице: