- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы Diodes Incorporated
929
Производитель:
Diodes Incorporated
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (929)
ZXMN6A07FQTA
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 1.2A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
1.2A
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMN6A07FTA
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 1.2A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
1.2A
Сопротивление открытого канала:
250 мОм
Мощность макс.:
625мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
3.2нКл
Входная емкость:
166пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMN6A07ZTA
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 1.9A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-89-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
1.9A
Сопротивление открытого канала:
250 мОм
Мощность макс.:
1.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
3.2нКл
Входная емкость:
166пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMN6A08E6TA
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.8A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-26
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
2.8A
Сопротивление открытого канала:
80 мОм
Мощность макс.:
1.1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1В
Заряд затвора:
5.8нКл
Входная емкость:
459пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMN6A08KTC
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 5.36A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
TO-252-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
5.36A
Сопротивление открытого канала:
80 мОм
Мощность макс.:
2.12Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
5.8нКл
Входная емкость:
459пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMN6A09GTA
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 6.9A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
5.4A
Сопротивление открытого канала:
40 мОм
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
24.2нКл
Входная емкость:
1407пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMN6A11GTA
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 3.1A автомобильного применения 4-Pin(3+Tab) SOT-223 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
3.1A
Сопротивление открытого канала:
120 мОм
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
5.7нКл
Входная емкость:
330пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMN6A11ZTA
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.4A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-89-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
2.7A
Сопротивление открытого канала:
120 мОм
Мощность макс.:
1.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1В
Заряд затвора:
5.7нКл
Входная емкость:
330пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMN6A25KTC
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
TO-252-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
7A
Сопротивление открытого канала:
50 мОм
Мощность макс.:
2.11Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В
Заряд затвора:
20.4нКл
Входная емкость:
1063пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMN7A11GTA
N-Channel 70 V 0.13 Ohm Surface Mount Enhancement Mode MOSFET - SOT-223
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
ZXMN7A11KTC
Полевой транзистор, N-канальный, 70 В, 6.1 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
TO-252-3
ZXMP10A13FQTA
MOSFET, AEC-Q101, P CH, -100V, -0.7A; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-700mA; Drain Source Voltage Vds:-100V; On Resistance Rds(on):1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-4
Производитель:
Diodes Incorporated
ZXMP10A13FTA
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 0.7A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-23-3
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
600мА(Ta)
Сопротивление открытого канала:
1 Ом @ 600mА, 10В
Мощность макс.:
625мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
4В @ 250 µA
Заряд затвора:
3.5нКл @ 10В
Входная емкость:
141пФ @ 50В
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMP10A17E6TA
MOSFET,P CH, -100V, -1.3A,SOT26-6; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:1.6A; Drain Source Voltage Vds:-100V; On Resistance Rds(on):0.35ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-2V;
Производитель:
Diodes Incorporated
ZXMP10A17GTA
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 1.7A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
1.7A
Сопротивление открытого канала:
350 мОм
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4В
Заряд затвора:
10.7нКл
Входная емкость:
424пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара