Одиночные MOSFET транзисторы Diodes Incorporated

929
Производитель: Diodes Incorporated
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (929)
ZXMP10A17KTC ZXMP10A17KTC Trans MOSFET P-CH 100V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
ZXMP10A18GTA ZXMP10A18GTA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 3A автомобильного применения 4-Pin(3+Tab) SOT-223 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
2.6A
Сопротивление открытого канала:
150 мОм
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
26.9нКл
Входная емкость:
1055пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMP2120FFTA ZXMP2120FFTA MOSFET, P-CH, 200V, 0.137A, SOT-23F;
Производитель:
Diodes Incorporated
ZXMP3A13FTA ZXMP3A13FTA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 1.6A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
1.4A
Сопротивление открытого канала:
210 мОм
Мощность макс.:
625мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
6.4нКл
Входная емкость:
206пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMP3A16DN8TA ZXMP3A16DN8TA Trans MOSFET P-CH 30V 4.2A 8-Pin SOIC T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
ZXMP3A16GTA ZXMP3A16GTA MOSFET P-CH 30V 4.6A SOT223
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
30V
Ток стока макс.:
5.4A (Ta)
Сопротивление открытого канала:
45 mOhm @ 4.2A, 10V
Мощность макс.:
2W
Тип транзистора:
MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1V @ 250 µA
Заряд затвора:
29.6nC @ 10V
Входная емкость:
1022pF @ 15V
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMP3A16N8TA ZXMP3A16N8TA Trans MOSFET P-CH 30V 5.6A 8-Pin SOIC T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
ZXMP3A17E6TA ZXMP3A17E6TA Trans MOSFET P-CH 30V 3.2A 6-Pin SOT-23 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
ZXMP3F30FHTA ZXMP3F30FHTA MOSFET, P-CH, 30V, 3.4A, SOT-23;
Производитель:
Diodes Incorporated
ZXMP4A16GTA ZXMP4A16GTA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 40В 6.4A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
4.6A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
26.1нКл
Входная емкость:
1007пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMP4A16KTC ZXMP4A16KTC Trans MOSFET P-CH 40V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
ZXMP4A57E6QTA ZXMP4A57E6QTA Trans MOSFET P-CH 40V 2.9A Automotive 6-Pin SOT-26 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-26
ZXMP6A13FQTA ZXMP6A13FQTA Trans MOSFET P-CH 60V 0.9A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
ZXMP6A13FTA ZXMP6A13FTA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 1.1A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
900мА
Сопротивление открытого канала:
400 мОм
Мощность макс.:
625мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
5.9нКл
Входная емкость:
219пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMP6A16KTC ZXMP6A16KTC Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
TO-252-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
5.4A
Сопротивление открытого канала:
85 мОм
Мощность макс.:
2.11Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
24.2нКл
Входная емкость:
1021пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMP6A17E6QTA ZXMP6A17E6QTA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 3A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-26
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
2.3A
Сопротивление открытого канала:
125 мОм
Мощность макс.:
1.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
17.7нКл
Входная емкость:
637пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMP6A17E6TA ZXMP6A17E6TA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 3A автомобильного применения 6-Pin SOT-26 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-26
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
2.3A
Сопротивление открытого канала:
125 мОм
Мощность макс.:
1.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
17.7нКл
Входная емкость:
637пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMP6A17GQTA ZXMP6A17GQTA MOSFET, P-CH, 60V, 3A, 150°C, 2W;
Производитель:
Diodes Incorporated
ZXMP6A17GTA ZXMP6A17GTA Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 3A SOT223
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
ZXMP6A17KTC ZXMP6A17KTC Trans MOSFET P-CH 60V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
На странице: