- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы Diodes Incorporated
929
Производитель:
Diodes Incorporated
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (929)
ZXMP3A13FTA
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 1.6A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
1.4A
Сопротивление открытого канала:
210 мОм
Мощность макс.:
625мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1В
Заряд затвора:
6.4нКл
Входная емкость:
206пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMP6A16KTC
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
TO-252-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
5.4A
Сопротивление открытого канала:
85 мОм
Мощность макс.:
2.11Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1В
Заряд затвора:
24.2нКл
Входная емкость:
1021пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMP6A17E6TA
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 3A автомобильного применения 6-Pin SOT-26 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-26
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
2.3A
Сопротивление открытого канала:
125 мОм
Мощность макс.:
1.1Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1В
Заряд затвора:
17.7нКл
Входная емкость:
637пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Производитель:
Diodes Incorporated
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
5A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMP7A17GQTA
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 70В 2.6A SOT223
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
70В
Ток стока макс.:
2.6A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
160 мОм @ 2.1А, 10В
Мощность макс.:
2Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1В @ 250 µA
Заряд затвора:
18нКл @ 10В
Входная емкость:
635пФ @ 40В
Тип монтажа:
Surface Mount
ZXMS6004DN8-13
MOSFET, DUAL N-CH, 60V, 1.2A, SOIC; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:1.2A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.35ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:5V; Threshold Voltage Vgs:1V
Производитель:
Diodes Incorporated
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара