Одиночные MOSFET транзисторы Diodes Incorporated

929
Производитель: Diodes Incorporated
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (929)
DMG4822SSDQ-13 Транзистор полевой MOSFET N-канальный сдвоенный 30В SO-8
Производитель:
Diodes Incorporated
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
2 500 шт
Аналоги:
7 500 шт
Цена от:
от 59,80
DMG6968U-7 DMG6968U-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 6.5A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
6.5A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
810мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
900mВ
Заряд затвора:
8.5нКл
Входная емкость:
151пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
21 000 шт
Цена от:
от 5,44
DMG6968UQ-7 DMG6968UQ-7 MOSFET, N-CH, 20V, 6.5A, SOT-23;
Производитель:
Diodes Incorporated
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
6 000 шт
Цена от:
от 21,99
DMG7401SFG-7 Trans MOSFET P-CH 30V 9.8A 8-Pin PowerDI EP T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
6 000 шт
Цена от:
от 26,90
DMG7410SFG-13 30V 8A 3W 20mOm@10V One N-channel POWERDI3333-8 Single FETs, MOSFETs RoHS
Производитель:
Diodes Incorporated
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
9 000 шт
Цена от:
от 18,02
DMN1004UFV-7 DMN1004UFV-7 Trans MOSFET N-CH 12V 70A 8-Pin PowerDI EP T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
6 000 шт
Цена от:
от 21,57
DMN1008UFDF-7 DMN1008UFDF-7 Trans MOSFET N-CH 12V 12.2A 6-Pin UDFN EP T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
6 000 шт
Цена от:
от 19,94
DMN1019USN-7 DMN1019USN-7 Trans MOSFET N-CH 12V 9.3A 3-Pin SC-59 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
12 000 шт
Цена от:
от 11,16
DMN1019UVT-7 DMN1019UVT-7 Trans MOSFET N-CH 12V 10.7A 6-Pin TSOT-26 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
9 000 шт
Цена от:
от 12,37
DMN1029UFDB-7 DMN1029UFDB-7 Trans MOSFET N-CH 12V 5.6A 6-Pin UDFN EP T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
9 000 шт
Цена от:
от 13,66
DMN1054UCB4-7 DMN1054UCB4-7 N-Channel Enhancement Mode Mosfet
Производитель:
Diodes Incorporated
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 38,79
DMN10H099SFG-7 DMN10H099SFG-7 Trans MOSFET N-CH 100V 4.2A 8-Pin PowerDI EP T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
4 000 шт
Цена от:
от 49,47
DMN10H100SK3-13 DMN10H100SK3-13 MOSFET, N-CH, 100V, 18A, TO-252;
Производитель:
Diodes Incorporated
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
5 000 шт
Цена от:
от 31,33
DMN10H120SE-13 DMN10H120SE-13 Trans MOSFET N-CH 100V 3.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-223
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
5 000 шт
Цена от:
от 26,17
DMN10H170SFDE-7 DMN10H170SFDE-7 Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 6-Pin UDFN EP T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
6 000 шт
Цена от:
от 19,41
DMN10H170SFG-13 DMN10H170SFG-13 Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 8-Pin PowerDI EP T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
6 000 шт
Цена от:
от 22,68
DMN10H170SFG-7 DMN10H170SFG-7 Trans MOSFET N-CH 100V 2.9A 8-Pin PowerDI EP T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
6 000 шт
Цена от:
от 21,42
DMN10H170SK3-13 DMN10H170SK3-13 Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
7 500 шт
Цена от:
от 19,04
DMN10H170SVT-7 DMN10H170SVT-7 Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin TSOT-26 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
15 000 шт
Цена от:
от 7,79
DMN10H220L-7 DMN10H220L-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.6A SOT-23
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
1.4A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
220 мОм @ 1.6А, 10В
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В @ 250 µA
Заряд затвора:
8.3нКл @ 10В
Входная емкость:
401пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
15 000 шт
Цена от:
от 8,23
На странице: