Одиночные MOSFET транзисторы Diodes Incorporated

929
Производитель: Diodes Incorporated
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (929)
DMG302PU-7 DMG302PU-7 Trans MOSFET P-CH 25V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-23
DMG3401LSN-7 DMG3401LSN-7 MOSFET, P-CH, 30V, 3A, SC-59;
Производитель:
Diodes Incorporated
DMG3401LSNQ-7 MOSFET BVDSS, 31V to 40V SC59 3K
Производитель:
Diodes Incorporated
DMG3404L-7 DMG3404L-7 Trans MOSFET N-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
DMG3406L-7 DMG3406L-7 MOSFET, N-CH, 30V, 3.6A, SOT-23;
Производитель:
Diodes Incorporated
DMG3413L-7 DMG3413L-7 MOSFET, P-CH, 20V, 3A, SOT-23;
Производитель:
Diodes Incorporated
DMG3414U-7 DMG3414U-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 4.2A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
4.2A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
780мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
900mВ
Заряд затвора:
9.6нКл
Входная емкость:
829.9пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
DMG3414UQ-7 DMG3414UQ-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 4.2A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
4.2A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
780мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Пороговое напряжение включения макс.:
±8В
Заряд затвора:
9.6нКл
Входная емкость:
829.9пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
DMG3415U-7 DMG3415U-7 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 4A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
39 мОм
Мощность макс.:
900мВт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
9.1нКл
Входная емкость:
294пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
DMG3415UFY4Q-7 DMG3415UFY4Q-7 Trans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive 3-Pin X2-DFN T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
DMG3415UQ-7 DMG3415UQ-7 MOSFET, P-CH, 20V, 4A, SOT-23;
Производитель:
Diodes Incorporated
DMG3418L-7 DMG3418L-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 4A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
4A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
1.4Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.5В
Заряд затвора:
5.5нКл
Входная емкость:
464.3пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
DMG3420U-7 DMG3420U-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 5.47A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
5.47A
Сопротивление открытого канала:
29 мОм
Мощность макс.:
740мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.2В
Заряд затвора:
5.4нКл
Входная емкость:
434.7пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
DMG3420UQ-7 DMG3420UQ-7 Trans MOSFET N-CH 20V 5.47A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-23
DMG4413LSS-13 DMG4413LSS-13 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 10.5A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOP8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
10.5A
Сопротивление открытого канала:
7.5 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.1В
Заряд затвора:
46нКл
Входная емкость:
4965пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
DMG4435SSS-13 DMG4435SSS-13 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 7.3A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOP8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
7.3A
Сопротивление открытого канала:
16 мОм
Мощность макс.:
1.3Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
35.4нКл
Входная емкость:
1614пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
DMG4466SSS-13 DMG4466SSS-13 MOSFET, N-CH, 30V, 10A, SOIC;
Производитель:
Diodes Incorporated
DMG4468LK3-13 DMG4468LK3-13 Trans MOSFET N-CH 30V 9.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
DMG4800LFG-7 DMG4800LFG-7 Trans MOSFET N-CH 30V 7.44A 8-Pin DFN EP T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
DMG4800LSD-13 DMG4800LSD-13 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 7.5A автомобильного применения 8-Pin SO лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOP8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
7.5A
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
На странице: