Одиночные MOSFET транзисторы Diodes Incorporated

929
Производитель: Diodes Incorporated
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (929)
DMN10H220LFDF-7 DMN10H220LFDF-7 MOSFET, N-CH, 100V, 2.2A, U-DFN2020;
Производитель:
Diodes Incorporated
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
12 000 шт
Цена от:
от 11,16
DMN10H220LK3-13 DMN10H220LK3-13 MOSFET, N-CH, 100V, 7.5A, TO-252;
Производитель:
Diodes Incorporated
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
7 500 шт
Цена от:
от 20,92
DMN10H700S-13 DMN10H700S-13 Trans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
20 000 шт
Цена от:
от 8,45
DMN10H700S-7 DMN10H700S-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 0.7A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
700мА
Сопротивление открытого канала:
700 мОм
Мощность макс.:
400мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Пороговое напряжение включения макс.:
±20В
Заряд затвора:
4.6нКл
Входная емкость:
235пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
15 000 шт
Цена от:
от 8,44
DMN1150UFB-7B DMN1150UFB-7B Trans MOSFET N-CH 12V 1.41A 3-Pin X1-DFN T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
20 000 шт
Цена от:
от 6,84
DMN13H750S-7 DMN13H750S-7 Trans MOSFET N-CH 130V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
9 000 шт
Цена от:
от 13,38
DMN15H310SE-13 DMN15H310SE-13 MOSFET, N-CH, 150V, 7.1A, SOT-223;
Производитель:
Diodes Incorporated
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
5 000 шт
Цена от:
от 37,72
DMN2004WK-7 DMN2004WK-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 540мА
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-323
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
540мА
Сопротивление открытого канала:
550 мОм
Мощность макс.:
200мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Входная емкость:
150пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
30 000 шт
Цена от:
от 3,89
DMN2004WKQ-7 DMN2004WKQ-7 MOSFET, N-CH, 20V, 0.54A, SOT-323;
Производитель:
Diodes Incorporated
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
12 000 шт
Цена от:
от 10,59
DMN2005LP4K-7 DMN2005LP4K-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 0.3A автомобильного применения 3-Pin DFN лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
3-DFN1006H4 (1.0x0.6)
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
200мА(Ta)
Сопротивление открытого канала:
1.5 Ом @ 10mА, 4В
Мощность макс.:
200мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
900mВ @ 100 µA
Входная емкость:
41пФ @ 3В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
18 000 шт
Цена от:
от 7,13
DMN2005LPK-7 DMN2005LPK-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 0.44A автомобильного применения 3-Pin DFN лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
3-DFN1006 (1.0x0.6)
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
440мА
Сопротивление открытого канала:
1.5 Ом
Мощность макс.:
450мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.2В
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
15 000 шт
Цена от:
от 8,04
DMN2005UFG-13 DMN2005UFG-13 Trans MOSFET N-CH 20V 18A 8-Pin PowerDI EP T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 44,03
DMN2011UFDF-7 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
Производитель:
Diodes Incorporated
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
6 000 шт
Цена от:
от 20,96
DMN2011UFX-7 DMN2011UFX-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 12.2A автомобильного применения 4-Pin VDFN EP лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
12.2A
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 37,75
DMN2014LHAB-7 Dual N-Channel 20 V 28 mOhm 16 nC 0.8 W Silicon Surface Mount Mosfet - UFDFN-6
Производитель:
Diodes Incorporated
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
9 000 шт
Цена от:
от 15,10
DMN2019UTS-13 DMN2019UTS-13 MOSFET, DUAL, N-CH, 20V, 5.4A;
Производитель:
Diodes Incorporated
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
7 500 шт
Цена от:
от 18,86
DMN2020UFCL-7 DMN2020UFCL-7 Trans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin X1-DFN EP T/R
Производитель:
Diodes Incorporated
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
12 000 шт
Цена от:
от 11,33
DMN2022UFDF-7 DMN2022UFDF-7 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 7.9A автомобильного применения 6-Pin UDFN EP лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
6-UDFN2020 (2x2)
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
7.9A
Сопротивление открытого канала:
22 мОм
Мощность макс.:
660мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
907пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
3 000 шт
Цена от:
от 42,66
DMN2024U-13 DMN2024U-13 20V 6.8A 800mW 29mOm@2.5V,5.5A One N-channel SOT-23-3 Single FETs, MOSFETs RoHS
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT-23-3
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
20 000 шт
Цена от:
от 9,23
DMN2024U-7 DMN2024U-7 MOSFET, N-CH, 20V, 6.8A, SOT-23;
Производитель:
Diodes Incorporated
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
9 000 шт
Цена от:
от 12,76
На странице: