- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы Diodes Incorporated
929
Производитель:
Diodes Incorporated
-
Сортировать по:
Одиночные MOSFET транзисторы (929)
Производитель:
Diodes Incorporated
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
DMG6968U-7
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 6.5A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
SOT23-3
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
6.5A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
810мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
900mВ
Заряд затвора:
8.5нКл
Входная емкость:
151пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Производитель:
Diodes Incorporated
DMG7430LFG-7
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 10.5A автомобильного применения 8-Pin PowerDI EP лента на катушке
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
PowerDI3333-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
10.5A
Сопротивление открытого канала:
11 мОм
Мощность макс.:
900мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
26.7нКл
Входная емкость:
1281пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
DMN100-7-F
30V 6.5A 1.7W 33mOhm@4.5V 2V@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Производитель:
Diodes Incorporated
Производитель:
Diodes Incorporated
Производитель:
Diodes Incorporated
Производитель:
Diodes Incorporated
DMN1019UFDE-7
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 12В 11A
Производитель:
Diodes Incorporated
Корпус:
6-UDFN2020 (2x2)
Напряжение сток-исток макс.:
12В
Ток стока макс.:
11A
Сопротивление открытого канала:
10 мОм
Мощность макс.:
690мВт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
800mВ
Заряд затвора:
50.6нКл
Входная емкость:
2425пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
DMN1019USN-13
MOSFET, N-CH, 12V, 9.3A, SC-59; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9.3A; Drain Source Voltage Vds:12V; On Resistance Rds(on):0.007ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:530mV; P
Производитель:
Diodes Incorporated
DMN1025UFDB-7
Транзистор полевой MOSFET сдвоенный N-канальный MOSFET
Производитель:
Diodes Incorporated
Тип транзистора:
N-канальный
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.
Сфера применения
Сообщите мне о поступлении товара