Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies
-
Сортировать по:
IRL3713PBF
Транзистор полевой N-канальный 30В 260А 330Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 260A
Сопротивление открытого канала: 3 мОм
Мощность макс.: 330Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 110нКл
Входная емкость: 5890пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRL3713SPBF
Транзистор полевой N-канальный 30В 260A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 260A
Сопротивление открытого канала: 3 мОм
Мощность макс.: 330Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 110нКл
Входная емкость: 5890пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRL3713STRLPBF
Транзистор полевой N-канальный 30В 260A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 260A
Сопротивление открытого канала: 3 мОм
Мощность макс.: 330Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Заряд затвора: 110нКл
Входная емкость: 5890пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRL3803VPBF
Транзистор полевой N-канальный 30В 140А 200Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 140A
Сопротивление открытого канала: 5.5 мОм
Мощность макс.: 200Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1В
Заряд затвора: 76нКл
Входная емкость: 3720пФ
Тип монтажа: Through Hole
IRL40B209
Транзистор полевой N-канальный 40В 195А 375Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.: 40В
Тип транзистора: N-канал
IRL40T209ATMA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный Si 40В 586A 9-Pin(8+Tab) HSOF лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
IRL520NSPBF
Транзистор полевой N-канальный 100В 10A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 10A
Сопротивление открытого канала: 180 мОм
Мощность макс.: 3.8Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 20нКл
Входная емкость: 440пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRL520NSTRLPBF
Транзистор полевой N-канальный 100В 10A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 10A
Сопротивление открытого канала: 180 мОм
Мощность макс.: 3.8Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 20нКл
Входная емкость: 440пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRL530NSPBF
Транзистор полевой N-канальный 100В 17А 3.8Вт, 0.1 Ом
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 17A
Сопротивление открытого канала: 100 мОм
Мощность макс.: 3.8Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 34нКл
Входная емкость: 800пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRL540NSPBF
Транзистор полевой N-канальный 100В 36А 140Вт, 0.044 Ом
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 36A
Сопротивление открытого канала: 44 мОм
Мощность макс.: 3.8Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Заряд затвора: 74нКл
Входная емкость: 1800пФ
Тип монтажа: Surface Mount
IRL60S216
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 298A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
IRL60SC216ARMA1
Производитель: Infineon Technologies
IRL60SL216
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 298A туба
Производитель: Infineon Technologies
IRL7833SPBF
Транзистор полевой N-канальный 30В 150A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 150A
Сопротивление открытого канала: 3.8 мОм
Мощность макс.: 140Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В
Заряд затвора: 47нКл
Входная емкость: 4170пФ
Тип монтажа: Surface Mount
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России и Беларуси
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.