Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies

₂₁₉₁

Производитель: Infineon Technologies

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3357)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (2191)

IRL3103STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 64A D2PAK

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

64A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

12 мОм @ 34А, 10В

Мощность макс.:

94Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В @ 250 µA

Заряд затвора:

33нКл @ 4.5В

Входная емкость:

1650пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRL3705NSPBF Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 89 А

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2PAK/TO263

Сообщить о поступлении

IRL3705ZLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A TO-262

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-262

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

75A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

8 мОм @ 52А, 10В

Мощность макс.:

130Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В @ 250 µA

Заряд затвора:

60нКл @ 5В

Входная емкость:

2880пФ @ 25В

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRL3705ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

75A

Сопротивление открытого канала:

8 мОм

Мощность макс.:

130Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

60нКл

Входная емкость:

2880пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRL3705ZSPBF Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 75 А

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2PAK/TO263

Сообщить о поступлении

IRL3705ZSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 75A D2PAK

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

75A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

8 мОм @ 52А, 10В

Мощность макс.:

130Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В @ 250 µA

Заряд затвора:

60нКл @ 5В

Входная емкость:

2880пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRL3713PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 260А 330Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

260A

Сопротивление открытого канала:

3 мОм

Мощность макс.:

330Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

110нКл

Входная емкость:

5890пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRL3713SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 260A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

260A

Сопротивление открытого канала:

3 мОм

Мощность макс.:

330Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

110нКл

Входная емкость:

5890пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRL3713STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 260A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

260A

Сопротивление открытого канала:

3 мОм

Мощность макс.:

330Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

110нКл

Входная емкость:

5890пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRL3803STRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 140A D2PAK

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

140A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

6 мОм @ 71А, 10В

Мощность макс.:

3.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В @ 250 µA

Заряд затвора:

140нКл @ 4.5В

Входная емкость:

5000пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRL3803VPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 140А 200Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220 Isolated Tab

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

140A

Сопротивление открытого канала:

5.5 мОм

Мощность макс.:

200Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

76нКл

Входная емкость:

3720пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRL3803VSPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 140A D2PAK

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

140A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

5.5 мОм @ 71А, 10В

Мощность макс.:

3.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

1В @ 250 µA

Заряд затвора:

76нКл @ 4.5В

Входная емкость:

3720пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRL40B209 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 195А 375Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220 Isolated Tab

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

195А

Мощность макс.:

375Вт

Тип транзистора:

N-канальный

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRL40T209ATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный Si 40В 586A 9-Pin(8+Tab) HSOF лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

586А

Тип транзистора:

N-канальный

Сообщить о поступлении

Акция

IRL520NSPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 10A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

180 мОм

Мощность макс.:

3.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

20нКл

Входная емкость:

440пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

1 000 шт

Цена от:

от 108,99₽

Акция

IRL530NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 17А 79Вт, 0.1 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220AB

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

17A

Сопротивление открытого канала:

100 мОм

Мощность макс.:

79Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

34нКл

Входная емкость:

800пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRL530NSPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 17А 3.8Вт, 0.1 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

17A

Сопротивление открытого канала:

100 мОм

Мощность макс.:

3.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

34нКл

Входная емкость:

800пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

2 440 шт

Цена от:

от 110,09₽

IRL530NSTRRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 17A D2PAK

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

17A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

100 мОм @ 9А, 10В

Мощность макс.:

3.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В @ 250 µA

Заряд затвора:

34нКл @ 5В

Входная емкость:

800пФ @ 25В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRL540NSPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 36А 140Вт, 0.044 Ом

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

36A

Сопротивление открытого канала:

44 мОм

Мощность макс.:

3.8Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

74нКл

Входная емкость:

1800пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

2 093 шт

Цена от:

от 111,16₽

IRL60S216 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 298A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

298А

Тип транзистора:

N-канальный

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"