Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies

2191
Производитель: Infineon Technologies
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (2191)
IRL60S216
Производитель:
Infineon Technologies
IRL60SC216ARMA1 IRL60SC216ARMA1
Производитель:
Infineon Technologies
IRL60SL216 IRL60SL216 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 298A туба
Производитель:
Infineon Technologies
IRL6297SDTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 15A 8-Pin Direct-FET SA лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DIRECTFET[тм] SA
IRL7472L1TRPBF IRL7472L1TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 68A 15-Pin Direct-FET L8 лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
40В
Ток стока макс.:
68A
Тип транзистора:
N-канал
Акция
IRL7833SPBF IRL7833SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 150A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
150A
Сопротивление открытого канала:
3.8 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.3В
Заряд затвора:
47нКл
Входная емкость:
4170пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRL7833STRLPBF IRL7833STRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 150A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
150A
Сопротивление открытого канала:
3.8 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.3В
Заряд затвора:
47нКл
Входная емкость:
4170пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRL8113PBF IRL8113PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 105A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
105A
Сопротивление открытого канала:
6 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.25В
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
2840пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRL8113SPBF IRL8113SPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 105A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
105A
Сопротивление открытого канала:
6 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.25В
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
2840пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRL8113STRLPBF IRL8113STRLPBF Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 105 А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK/TO263
-6% Акция
IRLB8743PBF IRLB8743PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 78A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220 Isolated Tab
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
78A
Сопротивление открытого канала:
3.2 мОм
Мощность макс.:
140Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.35В
Заряд затвора:
54нКл
Входная емкость:
5110пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRLH5030TRPBF IRLH5030TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 13A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PQFN (5x6) Single Die
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
9 мОм
Мощность макс.:
3.6Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
94нКл
Входная емкость:
5185пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
IRLH6224TRPBF IRLH6224TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 28A PQFN 5X6
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
8-PQFN (5x6)
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
28A(Ta),105A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
3 мОм @ 20А, 4.5В
Мощность макс.:
3.6Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.1В @ 50 µA
Заряд затвора:
86нКл @ 10В
Входная емкость:
3710пФ @ 10В
Тип монтажа:
Surface Mount
IRLHS6376TRPBF IRLHS6376TRPBF Транзистор полевой 2N-канальный 30В 3.6A PQFN
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PQFN6-(2x2)
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
3.6A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRLI2910PBF IRLI2910PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 31А, 48Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
31A
Сопротивление открытого канала:
26 мОм
Мощность макс.:
63Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
140нКл
Входная емкость:
3700пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRLI530NPBF IRLI530NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 12A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220AB Full-Pak
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
12A
Сопротивление открытого канала:
100 мОм
Мощность макс.:
41Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
34нКл
Входная емкость:
800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRLI540NPBF IRLI540NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 20А 42Вт, 0.044 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-220F
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
23A
Сопротивление открытого канала:
44 мОм
Мощность макс.:
54Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
74нКл
Входная емкость:
1800пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRLL024NPBF IRLL024NPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 3.1А 2.1Вт, 0.065 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
3.1A
Сопротивление открытого канала:
65 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
15.6нКл
Входная емкость:
510пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
8 309 шт
Цена от:
от 26,07
Акция
IRLL024ZPBF IRLL024ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 5А 2.8Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
5A
Сопротивление открытого канала:
60 мОм
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
11нКл
Входная емкость:
380пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
3 973 шт
Цена от:
от 39,76
IRLL2703TRPBF IRLL2703TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 3.9A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT-223
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
3.9A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
45 мОм @ 3.9А, 10В
Мощность макс.:
1Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.4В @ 250 µA
Заряд затвора:
14нКл @ 5В
Входная емкость:
530пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies - от 0.61146 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"