Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип транзистора

P-канал(875)
MOSFET N-Channel, Metal Oxide(3)
N-канал(4267)
N/P-канал(6)
2P-канал(1)
N-Channel(3)
P-Channel(1)
2N-канал(2)

Тип монтажа

Through Hole(1494)
Surface Mount(2856)
Chassis Mount(1)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (2193)

IRL7833STRLPBF Транзистор полевой N-канальный 30В 150A Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 150A Сопротивление открытого канала: 3.8 мОм Мощность макс.: 140Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В Заряд затвора: 47нКл Входная емкость: 4170пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRL8113PBF Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 105 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 105A Сопротивление открытого канала: 6 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.25В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 2840пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRL8113SPBF Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 105 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 105A Сопротивление открытого канала: 6 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.25В Заряд затвора: 35нКл Входная емкость: 2840пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRL8113STRLPBF Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 105 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263

Сообщить о поступлении

IRLB8314PBF Транзистор HEXFET N-канал 30В 184A [TO-220] Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 130A(Tc) Сопротивление открытого канала: 2.4 мОм @ 68А, 10В Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.2В @ 100 µA Заряд затвора: 60нКл @ 4.5В Входная емкость: 5050пФ @ 15В Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRLH5030TRPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 13A Производитель: Infineon Technologies Корпус: Power56 Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 13A Сопротивление открытого канала: 9 мОм Мощность макс.: 3.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В Заряд затвора: 94нКл Входная емкость: 5185пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRLH6224TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 28A PQFN 5X6 Производитель: Infineon Technologies Корпус: 8-PQFN (5x6) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 28A(Ta),105A(Tc) Сопротивление открытого канала: 3 мОм @ 20А, 4.5В Мощность макс.: 3.6Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В @ 50 µA Заряд затвора: 86нКл @ 10В Входная емкость: 3710пФ @ 10В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRLHM620TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 26A PQFN Производитель: Infineon Technologies Корпус: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33

Сообщить о поступлении

IRLHM630TRPBF Транзистор полевой N-канальный 30В 21A Производитель: Infineon Technologies Корпус: PQFN (3x3) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 3.5 мОм Мощность макс.: 2.7Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 62нКл Входная емкость: 3170пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRLHS6242TRPBF Транзистор полевой N-канальный 20В 10A Производитель: Infineon Technologies Корпус: PQFN6-(2x2) Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 11.7 мОм Мощность макс.: 1.98Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 1110пФ Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRLHS6376TRPBF Полевой транзистор 2N-канальный 30В 3.6A PQFN Производитель: Infineon Technologies Корпус: PQFN6-(2x2) Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3.6A Тип транзистора: N-канал

Сообщить о поступлении

Акция

IRLI2910PBF Транзистор полевой N-канальный 100В 31А, 48Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 31A Сопротивление открытого канала: 26 мОм Мощность макс.: 63Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 140нКл Входная емкость: 3700пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRLI530NPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 12A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 12A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 41Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 34нКл Входная емкость: 800пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRLI540NPBF Транзистор полевой N-канальный 100В 20А 42Вт, 0.044 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 23A Сопротивление открытого канала: 44 мОм Мощность макс.: 54Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 74нКл Входная емкость: 1800пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

IRLIZ34NPBF Транзистор полевой N-канальный 55В 22А 37Вт, 0.035 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 22A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 37Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 880пФ Тип монтажа: Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRLL014NPBF Транзистор полевой N-канальный 55В 2.0А 2.1Вт, 0.14 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 2A Сопротивление открытого канала: 140 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 14нКл Входная емкость: 230пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

4 304 шт

Цена от:

от 29,14₽

Акция

IRLL024NPBF Транзистор полевой N-канальный 55В 3.1А 2.1Вт, 0.065 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 3.1A Сопротивление открытого канала: 65 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 15.6нКл Входная емкость: 510пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

8 685 шт

Цена от:

от 38,84₽

Акция

IRLL024ZPBF Транзистор полевой N-канальный 55В 5А 2.8Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 5A Сопротивление открытого канала: 60 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 3В Заряд затвора: 11нКл Входная емкость: 380пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

1 849 шт

Цена от:

от 50,27₽

IRLL2703TRPBF Транзистор полевой N-канальный 30В 3.9A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3.9A(Ta) Сопротивление открытого канала: 45 мОм @ 3.9А, 10В Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В @ 250 µA Заряд затвора: 14нКл @ 5В Входная емкость: 530пФ @ 25В Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRLL2705PBF Транзистор полевой N-канальный 55В 3.8А 2.1Вт, 0.04 Ом Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOT-223 Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 3.8A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 2В Заряд затвора: 48нКл Входная емкость: 870пФ Тип монтажа: Surface Mount

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

16 943 шт

Цена от:

от 30,42₽

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"