Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies

₂₁₉₁

Производитель: Infineon Technologies

Фильтр

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1863)
Surface Mount (3356)
Chassis Mount (8)

Умный фильтр

Показать

Одиночные MOSFET транзисторы (2191)

IRLR7821TRPBF Полевой транзистор N-канальный 30В 65A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Сообщить о поступлении

Акция

IRLR7833PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 140А 140Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

140A

Сопротивление открытого канала:

4.5 мОм

Мощность макс.:

140Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.3В

Заряд затвора:

50нКл

Входная емкость:

4010пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

1 007 шт

Цена от:

от 50,76₽

Акция

IRLR7843PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 161А 140Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

161A

Сопротивление открытого канала:

3.3 мОм

Мощность макс.:

140Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.3В

Заряд затвора:

50нКл

Входная емкость:

4380пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

14 990 шт

Цена от:

от 8,97₽

IRLR7843TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 161A DPAK

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

161A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

3.3 мОм @ 15А, 10В

Мощность макс.:

140Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.3В @ 250 µA

Заряд затвора:

50нКл @ 4.5В

Входная емкость:

4380пФ @ 15В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRLR8103VPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 91A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

91A

Сопротивление открытого канала:

9 мОм

Мощность макс.:

115Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

27нКл

Входная емкость:

2672пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRLR8113PBF Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 94 А

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

30V

Ток стока макс.:

94A

Тип транзистора:

N-Channel

Особенности:

Logic Level Gate

Входная емкость:

2920pF

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRLR8256PBF Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 81 А

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Сообщить о поступлении

IRLR8259PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 57A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

25В

Ток стока макс.:

57A

Сопротивление открытого канала:

8.7 мОм

Мощность макс.:

48Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.35В

Заряд затвора:

10нКл

Входная емкость:

900пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRLR8721PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 65A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

65A

Сопротивление открытого канала:

8.4 мОм

Мощность макс.:

65Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.35В

Заряд затвора:

13нКл

Входная емкость:

1030пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRLR8726PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 86А 75Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

86A

Сопротивление открытого канала:

5.8 мОм

Мощность макс.:

75Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.35В

Заряд затвора:

23нКл

Входная емкость:

2150пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

8 679 шт

Цена от:

от 7,97₽

Акция

IRLR8729PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 58A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

58A

Сопротивление открытого канала:

8.9 мОм

Мощность макс.:

55Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.35В

Заряд затвора:

16нКл

Входная емкость:

1350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRLR8729TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 58A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

58A

Сопротивление открытого канала:

8.9 мОм

Мощность макс.:

55Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.35В

Заряд затвора:

16нКл

Входная емкость:

1350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRLR8743PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 160А 135Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

30В

Ток стока макс.:

160A

Сопротивление открытого канала:

3.1 мОм

Мощность макс.:

135Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.35В

Заряд затвора:

59нКл

Входная емкость:

4880пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

1 726 шт

Цена от:

от 39,83₽

Акция

IRLR9343PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 20А 79Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение сток-исток макс.:

55В

Ток стока макс.:

20A

Сопротивление открытого канала:

105 мОм

Мощность макс.:

79Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

1В

Заряд затвора:

47нКл

Входная емкость:

660пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

990 шт

Цена от:

от 44,59₽

Акция

IRLS3034PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 343А 375Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение сток-исток макс.:

40В

Ток стока макс.:

195A

Сопротивление открытого канала:

1.7 мОм

Мощность макс.:

375Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

162нКл

Входная емкость:

10315пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

239 шт

Цена от:

от 284,85₽

IRLS3036-7PPBF Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 240 А

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2PAK (7-Lead)

Сообщить о поступлении

IRLS3036TRL7PP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 240A D2PAK-7

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2PAK-7

Напряжение сток-исток макс.:

60В

Ток стока макс.:

240A(Tc)

Сопротивление открытого канала:

1.9 мОм @ 180А, 10В

Мощность макс.:

380Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В @ 250 µA

Заряд затвора:

160нКл @ 4.5В

Входная емкость:

11270пФ @ 50В

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRLS3813TRLPBF Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 160 А

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2PAK/TO263

Сообщить о поступлении

Акция

IRLS4030-7PPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 190А 370Вт

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2PAK-7

Напряжение сток-исток макс.:

100В

Ток стока макс.:

190A

Сопротивление открытого канала:

3.9 мОм

Мощность макс.:

370Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2.5В

Заряд затвора:

140нКл

Входная емкость:

11490пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Наличие:

0 шт

Внешние склады:

0 шт

Аналоги:

495 шт

Цена от:

от 321,26₽

IRLS4030PBF Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 180 А

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies - от 0.61146 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"