Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies

2191
Производитель: Infineon Technologies
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (2191)
IRLS4030TRLPBF IRLS4030TRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 180A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
180A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
4.3 мОм @ 110А, 10В
Мощность макс.:
370Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В @ 250 µA
Заряд затвора:
130нКл @ 4.5В
Входная емкость:
11360пФ @ 50В
Тип монтажа:
Surface Mount
IRLSL3036PBF IRLSL3036PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 195A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
195A
Сопротивление открытого канала:
2.4 мОм
Мощность макс.:
380Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
140нКл
Входная емкость:
11210пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRLU2905PBF IRLU2905PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 42А 110Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-251AA
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
42A
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
IRLU2905ZPBF IRLU2905ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 42A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
42A
Сопротивление открытого канала:
13.5 мОм
Мощность макс.:
110Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
1570пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRLU3915PBF IRLU3915PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 30A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
14 мОм
Мощность макс.:
120Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
92нКл
Входная емкость:
1870пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRLU8259PBF IRLU8259PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 57A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
25В
Ток стока макс.:
57A
Сопротивление открытого канала:
8.7 мОм
Мощность макс.:
48Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.35В
Заряд затвора:
10нКл
Входная емкость:
900пФ
Тип монтажа:
Through Hole
IRLU8726PBF IRLU8726PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 86A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
86A
Сопротивление открытого канала:
5.8 мОм
Мощность макс.:
75Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.35В
Заряд затвора:
23нКл
Входная емкость:
2150пФ
Тип монтажа:
Through Hole
Акция
IRLU9343PBF IRLU9343PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 20А 79Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-251
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
20A
Мощность макс.:
79Вт
Тип транзистора:
P-канал
IRLZ24NSPBF IRLZ24NSPBF Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 18 А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2PAK/TO263
IRLZ24NSTRLPBF IRLZ24NSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 18A D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
18A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
60 мОм @ 11А, 10В
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2В @ 250 µA
Заряд затвора:
15нКл @ 5В
Входная емкость:
480пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
IRLZ34NSPBF IRLZ34NSPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 30A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
35 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
25нКл
Входная емкость:
880пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 165 шт
Цена от:
от 70,06
Акция
IRLZ44NSPBF IRLZ44NSPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 47А, 110Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
47A
Сопротивление открытого канала:
22 мОм
Мощность макс.:
3.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
48нКл
Входная емкость:
1700пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
148 шт
Цена от:
от 85,93
-6% Акция
IRLZ44ZSTRLPBF IRLZ44ZSTRLPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 51А 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
D2Pak (TO-263)
Напряжение сток-исток макс.:
55В
Ток стока макс.:
51A(Tc)
Сопротивление открытого канала:
13.5 мОм @ 31А, 10В
Мощность макс.:
80Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
3В @ 250 µA
Заряд затвора:
36нКл @ 5В
Входная емкость:
1620пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
ISC027N10NM6ATMA1 ISC027N10NM6ATMA1 MOSFET, N-CH, 100V, TDSON-8
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TDSON-8/ SuperSO8
ISC0703NLSATMA1 ISC0703NLSATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 57A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TDSON-8/ SuperSO8
ISZ0703NLSATMA1 ISZ0703NLSATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 56A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PQFN (3x3)
SI4410DYTRPBF SI4410DYTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 10A 8-SOIC
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOIC8
SIPC69SN60C3X2SA2
Производитель:
Infineon Technologies
SN7002IXTSA1 SN7002IXTSA1 N-Channel 60V 0.2A 0.36W Surface Mount SOT-23
Производитель:
Infineon Technologies
-6% Акция
SN7002NH6327 SN7002NH6327 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 0.2A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SOT-23
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
0.2A
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Automotive
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies - от 0.61146 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"