Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (2192)
SPA02N80C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба Производитель: Infineon Technologies
Акция SPA04N60C3 Транзистор полевой N-канальный 650В 4.5А 31Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 950 мОм Мощность макс.: 31Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 490пФ Тип монтажа: Through Hole
SPA04N60C3XKSA1 Транзистор полевой N-канальный 650В 4.5А 31Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 4.5A Мощность макс.: 31Вт Тип транзистора: N-канал
SPA04N80C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба Производитель: Infineon Technologies
SPA06N80C3XKSA1 Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 6 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 900 мОм Мощность макс.: 39Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 41нКл Входная емкость: 785пФ Тип монтажа: Through Hole
SPA06N80C3XKSA1 Полевой транзистор N-канальный 800В 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220FP
SPA08N80C3XKSA1 Транзистор полевой N-канальный 800В 8A Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 8A Сопротивление открытого канала: 650 мОм Мощность макс.: 40Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 60нКл Входная емкость: 1100пФ Тип монтажа: Through Hole
SPA11N65C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба Производитель: Infineon Technologies
SPA15N60C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба Производитель: Infineon Technologies
SPA15N60CFDXKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 330мОм 63нКл TO-220-3FP Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220F
Акция SPA15N65C3 Полевой транзистор, N-канальный, 650В 15А 34Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220FP
SPA16N50C3XKSA1 Транзистор полевой N-канальный 560В 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба Производитель: Infineon Technologies Корпус: TO-220F Напряжение исток-сток макс.: 560В Ток стока макс.: 16A Тип транзистора: N-канал
SPA17N80C3 Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 17 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: PG-TO220-3
SPA17N80C3XKSA1 Транзистор полевой N-канальный 800В 17A TO220FP Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 290 мОм Мощность макс.: 42Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±20В Заряд затвора: 177нКл Входная емкость: 2320пФ Тип монтажа: Through Hole
SPA21N50C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP туба Производитель: Infineon Technologies
SPB04N60C3ATMA1 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 4.5 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 4.5A Сопротивление открытого канала: 950 мОм Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 490пФ Тип монтажа: Surface Mount
SPB11N60C3ATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Напряжение исток-сток макс.: 600В Тип транзистора: N-канал
SPB17N80C3ATMA1 Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 17 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 17A Сопротивление открытого канала: 290 мОм Мощность макс.: 227Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 177нКл Входная емкость: 2300пФ Тип монтажа: Surface Mount
SPB20N60C3ATMA1 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 20.7 А Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 20.7A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В Заряд затвора: 114нКл Входная емкость: 2400пФ Тип монтажа: Surface Mount
SPB20N60S5ATMA1 Транзистор полевой N-канальный 600В 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Производитель: Infineon Technologies Корпус: D2PAK/TO263 Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 20A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 208Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В Заряд затвора: 103нКл Входная емкость: 3000пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"