Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies

2191
Производитель: Infineon Technologies
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (2191)
SPB20N60C3ATMA1 SPB20N60C3ATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 20.7A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO263-3
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
20.7A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
208Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
114нКл
Входная емкость:
2400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SPB20N60S5ATMA1 SPB20N60S5ATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO263-3
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
20A
Сопротивление открытого канала:
190 мОм
Мощность макс.:
208Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
5.5В
Заряд затвора:
103нКл
Входная емкость:
3000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SPB21N50C3ATMA1 SPB21N50C3ATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
500В
Ток стока макс.:
21А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
SPB80P06PGATMA1 SPB80P06PGATMA1 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 80A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
80А
Тип транзистора:
P-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
SPD02N50C3ATMA1 SPD02N50C3ATMA1 Полевой транзистор, N-канальный, 560 В, 1.8 А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO252-3
SPD02N60C3 SPD02N60C3 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 1.8 А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO252-3
SPD02N80C3ATMA1 SPD02N80C3ATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 2A 3TO252
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
2A
Сопротивление открытого канала:
2.7 Ом
Мощность макс.:
42Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
16нКл
Входная емкость:
290пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SPD03N50C3ATMA1 SPD03N50C3ATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 3.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO252-3
Напряжение сток-исток макс.:
560В
Ток стока макс.:
3.2A
Сопротивление открытого канала:
1.4 Ом
Мощность макс.:
38Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
15нКл
Входная емкость:
350пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SPD03N60C3ATMA1 SPD03N60C3ATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 3.2A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO252-3
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
3.2A
Сопротивление открытого канала:
1.4 Ом
Мощность макс.:
38Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
17нКл
Входная емкость:
400пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SPD04N50C3ATMA1
Производитель:
Infineon Technologies
SPD04N60C3ATMA1 SPD04N60C3ATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
600В
Ток стока макс.:
4.5А
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
SPD04N80C3ATMA1 SPD04N80C3ATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
Тип транзистора:
N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
SPD07N60C3ATMA1 SPD07N60C3ATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO252-3
Напряжение сток-исток макс.:
650В
Ток стока макс.:
7.3A
Сопротивление открытого канала:
600 мОм
Мощность макс.:
83Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
27нКл
Входная емкость:
790пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SPD08N50C3ATMA1 SPD08N50C3ATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
PG-TO252-3
Напряжение сток-исток макс.:
560В
Ток стока макс.:
7.6A
Сопротивление открытого канала:
600 мОм
Мощность макс.:
83Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
32нКл
Входная емкость:
750пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SPD08P06PGBTMA1 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 8.83A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
8.83А
Тип транзистора:
P-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
SPD15P10PGBTMA1 SPD15P10PGBTMA1 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 15A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
15А
Тип транзистора:
P-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
SPD15P10PLGBTMA1 SPD15P10PLGBTMA1 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 15A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DPAK
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
15A
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Automotive
Тип монтажа:
Surface Mount
SPD30P06PG SPD30P06PG Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 30A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
P-TO252-3
Напряжение сток-исток макс.:
60В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
75 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
48нКл
Входная емкость:
1535пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SPD50P03LGBTMA1 SPD50P03LGBTMA1 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 50A автомобильного применения 5-Pin(4+Tab) TO-252 лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
50А
Тип транзистора:
P-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
SPI08N80C3XKSA1 SPI08N80C3XKSA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 8A 3-Pin(3+Tab) TO-262 туба
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TO-262
Напряжение сток-исток макс.:
800В
Ток стока макс.:
8A
Сопротивление открытого канала:
650 мОм
Мощность макс.:
40Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
3.9В
Заряд затвора:
60нКл
Входная емкость:
1100пФ
Тип монтажа:
Through Hole
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies - от 0.61146 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"