Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies
-
Сортировать по:
SPB21N50C3ATMA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
SPB80P06PGATMA1
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 80A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
SPD02N50C3ATMA1
Полевой транзистор, N-канальный, 560 В, 1.8 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: PG-TO252-3
SPD02N60C3
Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 1.8 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: PG-TO252-3
SPD02N80C3ATMA1
Транзистор полевой N-канальный 800В 2A 3TO252
Производитель: Infineon Technologies
Напряжение исток-сток макс.: 800В
Ток стока макс.: 2A
Сопротивление открытого канала: 2.7 Ом
Мощность макс.: 42Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В
Заряд затвора: 16нКл
Входная емкость: 290пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SPD03N50C3ATMA1
Транзистор полевой N-канальный 500В 3.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: PG-TO252-3
Напряжение исток-сток макс.: 560В
Ток стока макс.: 3.2A
Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом
Мощность макс.: 38Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В
Заряд затвора: 15нКл
Входная емкость: 350пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SPD03N60C3ATMA1
Транзистор полевой N-канальный 650В 3.2A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: PG-TO252-3
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 3.2A
Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом
Мощность макс.: 38Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В
Заряд затвора: 17нКл
Входная емкость: 400пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SPD04N60C3ATMA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
SPD04N80C3ATMA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
SPD07N60C3ATMA1
Транзистор полевой N-канальный 600В 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: PG-TO252-3
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 7.3A
Сопротивление открытого канала: 600 мОм
Мощность макс.: 83Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В
Заряд затвора: 27нКл
Входная емкость: 790пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SPD08N50C3ATMA1
Транзистор полевой N-канальный 500В 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: PG-TO252-3
Напряжение исток-сток макс.: 560В
Ток стока макс.: 7.6A
Сопротивление открытого канала: 600 мОм
Мощность макс.: 83Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В
Заряд затвора: 32нКл
Входная емкость: 750пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SPD15P10PGBTMA1
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 15A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
SPD15P10PLGBTMA1
Транзистор полевой P-канальный 100В 15A Aвтомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 15A
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Automotive
SPD30P06PG
Полевой транзистор P-канальный 60В 30A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: P-TO252-3
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 30A
Сопротивление открытого канала: 75 мОм
Мощность макс.: 125Вт
Тип транзистора: P-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Заряд затвора: 48нКл
Входная емкость: 1535пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SPD50P03LGBTMA1
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 50A автомобильного применения 5-Pin(4+Tab) TO-252 лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
SPI08N80C3XKSA1
Полевой транзистор N-канальный 800В 8A 3-Pin(3+Tab) TO-262 туба
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: I2PAK
Напряжение исток-сток макс.: 800В
Ток стока макс.: 8A
Сопротивление открытого канала: 650 мОм
Мощность макс.: 40Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В
Заряд затвора: 60нКл
Входная емкость: 1100пФ
Тип монтажа: Through Hole
SPP02N60C3XKSA1
Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 1.8 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 1.8A
Сопротивление открытого канала: 3 Ом
Мощность макс.: 25Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В
Заряд затвора: 12.5нКл
Входная емкость: 200пФ
Тип монтажа: Through Hole
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России и Беларуси
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.