Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies
-
Сортировать по:
SPP03N60C3XKSA1
Транзистор полевой N-канальный 650В 3.2A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 3.2A
Сопротивление открытого канала: 1.4 Ом
Мощность макс.: 38Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В
Заряд затвора: 17нКл
Входная емкость: 400пФ
Тип монтажа: Through Hole
SPP04N50C3XKSA1
Полевой транзистор N-канальный 500В 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB туба
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 500В
Ток стока макс.: 4.5A
Тип транзистора: N-канал
SPP04N60C3XKSA1
Транзистор полевой N-канальный 650В 4.5A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 600В
Ток стока макс.: 4.5A
Сопротивление открытого канала: 950 мОм
Мощность макс.: 50Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В
Заряд затвора: 25нКл
Входная емкость: 490пФ
Тип монтажа: Surface Mount
SPP04N80C3XKSA1
Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 4 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 800В
Ток стока макс.: 4A
Сопротивление открытого канала: 1.3 Ом
Мощность макс.: 63Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В
Заряд затвора: 31нКл
Входная емкость: 570пФ
Тип монтажа: Through Hole
SPP07N60C3XKSA1
Транзистор полевой N-канальный 650В 7.3A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 7.3A
Сопротивление открытого канала: 600 мОм
Мощность макс.: 83Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В
Заряд затвора: 27нКл
Входная емкость: 790пФ
Тип монтажа: Through Hole
SPP07N60S5XKSA1
Полевой транзистор N-канальный 600В 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220
SPP08N80C3XKSA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB туба
Производитель: Infineon Technologies
SPP08P06PHXKSA1
Полевой транзистор P-канальный 60В 8.8A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 8.8A
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Automotive
SPP11N60S5XKSA1
Транзистор полевой N-канальный 650В 11A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 11A
Сопротивление открытого канала: 380 мОм
Мощность макс.: 125Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5.5В
Заряд затвора: 54нКл
Входная емкость: 1460пФ
Тип монтажа: Through Hole
SPP12N50C3XKSA1
Полевой транзистор N-канальный 500В 11.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB туба
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 560В
Ток стока макс.: 11.6A
Сопротивление открытого канала: 380 мОм
Мощность макс.: 125Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В
Заряд затвора: 49нКл
Входная емкость: 1200пФ
Тип монтажа: Through Hole
SPP15N60C3XKSA1
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB туба
Производитель: Infineon Technologies
SPP15N65C3XKSA1
Транзистор полевой N-канальный 650В 15А 156Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 15A
Сопротивление открытого канала: 280 мОм
Мощность макс.: 156Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В
Заряд затвора: 63нКл
Входная емкость: 1600пФ
Тип монтажа: Through Hole
SPP15P10PLHXKSA1
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 15A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель: Infineon Technologies
SPP16N50C3
Полевой транзистор, N-канальный, 560 В, 16 А
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220-3
SPP20N60CFDXKSA1
Транзистор полевой N-канальный 600В 20А 200Вт
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 650В
Ток стока макс.: 20.7A
Сопротивление открытого канала: 220 мОм
Мощность макс.: 208Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Заряд затвора: 124нКл
Входная емкость: 2400пФ
Тип монтажа: Through Hole
SPP21N50C3XKSA1
Транзистор полевой N-канальный 500В 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO-220
Напряжение исток-сток макс.: 560В
Ток стока макс.: 21A
Сопротивление открытого канала: 190 мОм
Мощность макс.: 208Вт
Тип транзистора: N-канал
Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В
Заряд затвора: 95нКл
Входная емкость: 2400пФ
Тип монтажа: Through Hole
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России и Беларуси
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.