Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies

2191
Производитель: Infineon Technologies
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение сток-исток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (2191)
Акция
IRF7495PBF IRF7495PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 7.3А 2.5Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
100В
Ток стока макс.:
7.3A
Сопротивление открытого канала:
22 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
51нКл
Входная емкость:
1530пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
358 шт
Цена от:
от 70,65
IRF7501TR IRF7501TR Транзистор полевой 2N-канальный 20В 2.4A MICRO8
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
Micro8[тм]
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
2.4A
Тип транзистора:
2N-канальный
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF7506TRPBF IRF7506TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 1.7A 8-Pin Micro лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
Micro8[тм]
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
1.7A
Тип транзистора:
P-канал
IRF7607TRPBF IRF7607TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 6.5A MICRO8
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
Micro8[тм]
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
6.5A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
30 мОм @ 6.5А, 4.5В
Мощность макс.:
1.8Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
1.2В @ 250 µA
Заряд затвора:
22нКл @ 5В
Входная емкость:
1310пФ @ 15В
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF7705TRPBF IRF7705TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 8А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
TSSOP8
IRF7726TRPBF IRF7726TRPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 7A MICRO8
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
Micro8[тм]
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
7A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
26 мОм @ 7А, 10В
Мощность макс.:
1.79Вт
Тип транзистора:
P-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В @ 250 µA
Заряд затвора:
69нКл @ 10В
Входная емкость:
2204пФ @ 25В
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF7749L2TRPBF IRF7749L2TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В DIRECTFET L8
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DIRECTFET
IRF7759L2TRPBF IRF7759L2TRPBF Полевой транзистор, N-канальный, 75 В
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DIRECTFET
IRF7769L2TRPBF IRF7769L2TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В DIRECTFET L8
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
DIRECTFET
IRF7780MTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 89A 10-Pin Direct-FET ME лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Акция
IRF7805PBF IRF7805PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13А
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
11 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
31нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF7805TRPBF IRF7805TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
13A
Сопротивление открытого канала:
11 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
31нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF7805ZTRPBF IRF7805ZTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 16A 8-SOIC
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
16A(Ta)
Сопротивление открытого канала:
6.8 мОм @ 16А, 10В
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.25В @ 250 µA
Заряд затвора:
27нКл @ 4.5В
Входная емкость:
2080пФ @ 15В
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF7807APBF IRF7807APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 8.3A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
8.3A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
17нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF7807TRPBF IRF7807TRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 8.3A
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
8.3A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
17нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF7807VD1PBF IRF7807VD1PBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 8.3A 8-SOIC
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
8.3A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Diode (Isolated)
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF7807VTRPBF IRF7807VTRPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 8.3A 8-Pin SOIC лента на катушке
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
8.3A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
14нКл
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF7807ZPBF IRF7807ZPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 11A 8-Pin SOIC туба
Производитель:
Infineon Technologies
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
11A
Тип транзистора:
N-канал
Тип монтажа:
Surface Mount
IRF7809AVPBF IRF7809AVPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13.3А 2.5Вт, 0.007 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
13.3A
Сопротивление открытого канала:
9 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
62нКл
Входная емкость:
3780пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 057 шт
Цена от:
от 69,12
Акция
IRF7811AVPBF IRF7811AVPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 10.8A 2,5Вт
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
SO-8
Напряжение сток-исток макс.:
30В
Ток стока макс.:
10.8A
Сопротивление открытого канала:
14 мОм
Мощность макс.:
2.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
26нКл
Входная емкость:
1801пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Наличие:
0 шт

Внешние склады:
0 шт
Аналоги:
1 399 шт
Цена от:
от 108,81
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы Infineon Technologies в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"